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- カテゴリ:一般
- 発売日:2015/04/20
- 出版社: 東京電機大学出版局
- サイズ:21cm/144p
- 利用対象:一般
- ISBN:978-4-501-33090-3
紙の本
半導体の高次元化技術 貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装
著者 傳田 精一 (著)
半導体を高次元化する技術の概要・特徴を紹介し、今後の技術動向と業界の展望について分かりやすく解説する。新しい技術として注目されているガラス基板についても取り上げる。【「T...
半導体の高次元化技術 貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装
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商品説明
半導体を高次元化する技術の概要・特徴を紹介し、今後の技術動向と業界の展望について分かりやすく解説する。新しい技術として注目されているガラス基板についても取り上げる。【「TRC MARC」の商品解説】
半導体を高次元化する技術の概要・特徴が理解でき、今後の技術動向と業界の展望について分かりやすく解説。半導体の3D、2.5D、2.1Dの加工方法、製作コスト、技術的課題をわかりやすくまとめたため、今後の研究開発・技術開発の指針となる。新しい技術であるワイドIO、ガラスインターポーザに関しても多くの情報を取り上げた。【商品解説】
目次
- 第1章 TSV技術の開発
- 1.1 TSVの必要性
- 1.2 TSV開発の歴史と経緯
- 1.3 TSV技術の現状と問題点
- 第1章 参考文献
- 第2章 TSVの作成プロセス
- 2.1 TSVの基本構造
- 2.2 半導体製造プロセス中のTSV作成ポイント
- 2.3 ビアミドルプロセスの概要
- 2.4 ビアミドルでの配線接続とビア突出
著者紹介
傳田 精一
- 略歴
- 〈傳田精一〉信州大学工学部卒業。工学博士。エレクトロニクス実装学会名誉顧問、長野県工科短大客員教授、長野実装フォーラム名誉理事などを務める。
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