改訂版　はじめての半導体ドライエッチング技術

（概要）

「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。


（こんな方におすすめ）

・電子電気系のエンジニア全般、半導体関連の技術者、半導体関連の業界を目指す学生


（目次）

1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術

　　1.1　ドライエッチングの概要

　　1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ

　　1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2 章　ドライエッチングのメカニズム

　　2.1　プラズマの基礎

　　2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動

　　2.3　エッチングプロセスの組み立て方

3 章　各種材料のエッチング

　　3.1　ゲートエッチング

　　3.2　SiO2 エッチング

　　3.3　配線エッチング

　　3.4　まとめ

4 章　ドライエッチング装置

　　4.1　ドライエッチング装置の歴史

　　4.2　バレル型プラズマエッチャー

　　4.3　CCP プラズマエッチャー

　　4.4　マグネトロンRIE

　　4.5　ECR プラズマエッチャー

　　4.6　ICP プラズマエッチャー

　　4.7　ドライエッチング装置の実例

　　4.8　静電チャック

5 章　ドライエッチングダメージ

　　5.1　Si 表層部に導入されるダメージ

　　5.2　チャージアップダメージ

6 章　新しいエッチング技術

　　6.1　Cu ダマシンエッチング

　　6.2　Low-k エッチング

　　6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線

　　6.4　メタルゲート/High-k エッチング

　　6.5　FinFET エッチング

　　6.6　マルチパターニング

　　6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング

　　6.8　3D IC 用エッチング技術

7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）

　　7.1　ALE の原理

　　7.2　ALE の特性

　　7.3　ALE シナジー

　　7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ

　　7.5　SiO2 ALE

　　7.6　まとめ

8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

　　8.1　ドライエッチングにおける技術革新

　　8.2　今後の課題と展望

　　8.3　エンジニアとしての心構え