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- カテゴリ:大学生・院生
- 取扱開始日:2013/01/24
- 出版社: 丸善出版
- サイズ:21cm/721p
- 利用対象:大学生・院生
- ISBN:978-4-621-08581-3
- 国内送料無料
紙の本
タウア・ニン最新VLSIの基礎 第2版
著者 Yuan Taur (著),Tak H.Ning (著),芝原 健太郎 (監訳),宮本 恭幸 (監訳),内田 建 (監訳)
CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。MOSFET...
タウア・ニン最新VLSIの基礎 第2版
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商品説明
CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。MOSFETのスケール長の理論などを加えた第2版。〔初版:丸善 2002年刊〕【「TRC MARC」の商品解説】
目次
- 1 序章
- 1.1 VLSIデバイス技術における革新
- 1.2 最近のVLSIデバイス
- 1.3 本書の概要
- 2 デバイス物理の基礎
- 2.1 シリコン中の電子と正孔
- 2.2 p−n接合
- 2.3 MOSキャパシタ
- 2.4 金属−シリコン接触
- 2.5 高電界効果
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