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目次

半導体材料とデバイス

半導体材料とデバイス (シリーズ現代工学入門)

  • 松波 弘之(著)/ 尾江 邦重(著)
  • 1 半導体の進歩
    • 1.1 今日の生活と半導体デバイス
    • 1.2 半導体発展の歴史
  • 2 半導体材料物性
    • 2.1 導体と絶縁体,半導体
    • 2.2 n型半導体とp型半導体
    • 2.3 多数キャリヤと少数キャリヤ
    • 2.4 半導体の電気伝導
    • 2.5 半導体の光学的性質
    • 2.6 シリコンとⅢ-Ⅴ族半導体
  • 3 ダイオードとトランジスタ
    • 3.1 ショットキー電極とオーム性電極
    • 3.2 pn接合の基礎
    • 3.3 MOSダイオード
    • 3.4 バイポーラトランジスタ
    • 3.5 MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)
    • 3.6 その他の電界効果トランジスタ
  • 4 発光・受光デバイス
    • 4.1 発光ダイオード
    • 4.2 半導体レーザ
    • 4.3 フォトディテクタ
  • 5 情報信号処理用デバイスと材料
    • 5.1 トランジスタのスイッチング特性
    • 5.2 集積回路
    • 5.3 論理回路とメモリ
  • 6 通信用材料とデバイス
    • 6.1 光ファイバ通信用材料とデバイス
    • 6.2 無線通信用デバイス
  • 7 電力用デバイスと材料
    • 7.1 太陽電池
    • 7.2 パワー半導体デバイス
  • 8 センサ用デバイスと材料
    • 8.1 光センサ
    • 8.2 CCD-半導体で作る眼
    • 8.3 温度センサ
    • 8.4 圧力センサ
    • 8.5 その他のセンサ
  • 9 将来のエレクトロニクス
  • 付録 拡散方程式について
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