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目次

学びやすい集積回路工学

学びやすい集積回路工学

  • 黒木 幸令(著)
  • 第1章 半導体集積回路とエレクトロニクス産業
    • 1.1 エレクトロニクス機器の進歩と半導体集積回路
    • 1.2 回路基板と集積回路
  • 第2章 半導体の基礎
    • 2.1 半導体材料
    • 2.2 電子と正孔
    • 2.3 不純物添加によるキャリア密度の制御
    • 2.4 キャリアの分布
  • 第3章 半導体内でのキャリアの動きとその制御
    • 3.1 オームの法則(電界によるドリフト運動)と速度限界
    • 3.2 拡散電流(濃度の濃いところから薄いところへの流れ)
    • 3.3 キャリアの発生と消滅
    • 3.4 pn接合によるキャリア注入
    • 3.5 空乏層と電界効果
  • 第4章 アナログ増幅器
    • 4.1 バイポーラ・トランジスタの構造と動作原理
    • 4.2 バイポーラ・トランジスタのⅠ-V特性
    • 4.3 増幅の原理(AC小信号特性)
    • 4.4 電流制御モード増幅回路
  • 第5章 MOSFETの基本構造とスイッチング特性
    • 5.1 MOSFETの構造
    • 5.2 しきい電圧(チャネル形成に必要なゲート電圧)
    • 5.3 直流電流電圧特性
    • 5.4 飽和特性
    • 5.5 小信号増幅能力指数
    • 5.6 走行時間と動作周波数
    • 5.7 スイッチング特性と寄生容量
  • 第6章 CMOS論理ゲート回路
    • 6.1 インバータとバッファ
    • 6.2 NAND回路とNOR回路
    • 6.3 排他的論理EXOR回路
    • 6.4 多入力ゲートと複合論理ゲート
    • 6.5 パストランジスタとスイッチ
    • 6.6 Dフリップ・フロップとラッチ回路
  • 第7章 メモリ集積回路の基本構造と特性
    • 7.1 DRAM
    • 7.2 SRAM
    • 7.3 不揮発性メモリ
    • 7.4 マスクROMとFuse
  • 第8章 AD/DA変換回路
    • 8.1 AD変換器
    • 8.2 DA変換器
    • 8.3 電荷再配分型DA変換器
    • 8.4 負帰還型AD変換器
    • 8.5 アナログ回路の精度を決める要因
  • 第9章 集積化プロセス
    • 9.1 ウエハの製作
    • 9.2 熱酸化
    • 9.3 熱CVD,プラズマCVD
    • 9.4 PVD
    • 9.5 不純物拡散とイオン注入
    • 9.6 リソグラフィ
    • 9.7 エッチング
    • 9.8 CMP
    • 9.9 CMOSプロセスの流れ
  • 第10章 集積回路の設計
    • 10.1 デバイス設計
    • 10.2 プロセス設計
    • 10.3 基本回路セル設計
    • 10.4 ハードウェア記述言語を用いた設計と論理合成
    • 10.5 レイアウト設計(配置配線)
    • 10.6 検証
    • 10.7 テスト容易化設計
  • 第11章 スケーリング則の破綻と新材料・プロセスへの期待
    • 11.1 トランジスタのスケーリング則
    • 11.2 配線のスケーリング
    • 11.3 MOSFETの高性能化
    • 11.4 低電圧化と低消費電力化