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目次

VLSI工学 製造プロセス編

VLSI工学 製造プロセス編 (電子情報通信レクチャーシリーズ)

  • 角南 英夫(著)/ 電子情報通信学会(編)
  • 1.LSI製造プロセスとその課題
    • 1.1 集積回路の大規模化
    • 1.2 歩留りと信頼性
    • 1.3 メモリの課題
    • 1.4 マイクロプロセッサの課題
    • 1.5 MOSトランジスタの課題
    • 1.6 将来のLSI
  • 2.集積化プロセス
    • 2.1 集積化プロセスモジュール
    • 2.2 基本の集積化プロセス
    • 2.3 基板構造
    • 2.4 素子分離構造
    • 2.5 トランジスタ構造
    • 2.6 メモリセル構造
    • 2.7 ロジックゲート
    • 2.8 多層配線
    • 2.9 集積化総合技術
    • 2.10 集積化プロセスの課題と対策
    • 2.11 集積化プロセスの将来
  • 3.リソグラフィ
    • 3.1 リソグラフィの概略
    • 3.2 露光方式
    • 3.3 フォトレジスト
  • 4.エッチング
    • 4.1 エッチングの概略
    • 4.2 ウェットエッチング
    • 4.3 ドライエッチング
    • 4.4 ドライエッチング装置
    • 4.5 反応ガス
    • 4.6 ドライエッチングの課題
    • 4.7 将来のドライエッチング技術
  • 5.酸化
    • 5.1 シリコン酸化法
    • 5.2 シリコン酸化膜の成長則
    • 5.3 薄い酸化膜の形成
    • 5.4 Si‐Sio2界面状態
    • 5.5 不純物濃度依存酸化
    • 5.6 不純物偏析
    • 5.7 直接窒化膜
    • 5.8 その他の課題
  • 6.不純物導入
    • 6.1 不純物導入方法
    • 6.2 不純物拡散の原理
    • 6.3 イオン注入の原理
    • 6.4 高濃度イオン注入
    • 6.5 イオン注入の応用
  • 7.絶縁膜堆積
    • 7.1 絶縁膜堆積法の種類
    • 7.2 PVD
    • 7.3 CVD
    • 7.4 プラズマCVD
    • 7.5 CVD堆積膜の性質
    • 7.6 塗布膜
  • 8.電極・配線
    • 8.1 電極・配線の役割
    • 8.2 電極・配線の材料
    • 8.3 電極・配線の堆積法
    • 8.4 電極構造
    • 8.5 バリアメタル技術
    • 8.6 ダマシン配線
    • 8.7 多層配線と平坦化
    • 8.8 配線の信頼性
  • 9.後工程・パッケージング
    • 9.1 前工程と後工程
    • 9.2 パッケージング
    • 9.3 3次元実装

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