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目次

例題で学ぶ半導体デバイス

例題で学ぶ半導体デバイス

  • 沼居 貴陽(著)
  • 序章 半導体と半導体デバイス
    • 0.1 真空管から半導体へ
    • 0.2 半導体の特徴と応用
  • 第1章 半導体の基礎
    • 1.1 結晶構造
    • 1.2 エネルギーバンド
    • 1.3 真性半導体と不純物半導体
    • 1.4 キャリア濃度
    • 1.5 半導体中の電気伝導
  • 第2章 pn接合ダイオード
    • 2.1 pn接合
    • 2.2 電気的中性領域を流れる電流
    • 2.3 キャリアの発生と再結合
    • 2.4 降伏現象
  • 第3章 金属-半導体接合
    • 3.1 仕事関数,真空準位,電子親和力
    • 3.2 金属-半導体接合界面
    • 3.3 電気伝導
    • 3.4 ショットキーダイオード
  • 第4章 バイポーラトランジスタ
    • 4.1 増幅作用
    • 4.2 電流輸送率
    • 4.3 小信号等価回路
    • 4.4 四端子回路
    • 4.5 電流輸送率の遮断周波数
    • 4.6 高周波等価回路
  • 第5章 ユニポーラトランジスタ
    • 5.1 理想MIS構造
    • 5.2 実際のMIS構造
    • 5.3 基本特性
    • 5.4 動特性
    • 5.5 利得帯域幅積
  • 第6章 アクティブデバイス
    • 6.1 サイリスタ
    • 6.2 ユニジャンクショントランジスタ
    • 6.3 ガンダイオード
    • 6.4 インパットダイオード
  • 第7章 光デバイス
    • 7.1 半導体の光物性
    • 7.2 光検出デバイス
    • 7.3 発光素子
  • 第8章 半導体プロセス
    • 8.1 熱拡散
    • 8.2 イオン注入
    • 8.3 シリコンの熱酸化
  • 演習問題の解答
  • 付録A 電磁気学の基礎
    • A.1 ガウスの法則とクーロンの法則
    • A.2 ストークスの法則とアンペールの法則
    • A.3 電位と電界
  • 付録B 統計力学の基礎
    • B.1 エントロピーと絶対温度
    • B.2 ボルツマン因子と分配関数
    • B.3 ギブス因子とギブス和
    • B.4 分布関数
  • 付録C 量子力学の基礎
    • C.1 シュレーディンガーの波動方程式
    • C.2 箱型井戸
    • C.3 水素原子
  • 付録D 有効質量
    • D.1 有効質量の定義と意義
    • D.2 状態密度有効質量
    • D.3 伝導率有効質量
  • 参考文献
  • 索引

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