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目次

二次元電子と磁場

二次元電子と磁場 (朝倉物性物理シリーズ)

  • 川路 紳治(著)/ 川畑 有郷(編集委員)/ 斯波 弘行(編集委員)/ 鹿児島 誠一(編集委員)
  • 1.序章
    • 1.1 表面電気伝導と表面散乱
    • 1.2 半導体界面量子効果と二次元電子
    • 1.3 二次元電子の弱局在と負磁気抵抗
    • 1.4 強磁場中の二次元電子:量子ホール効果
  • 2.二次元電子
    • 2.1 二次元電子
    • 2.2 二次元電子の実現可能性
    • 2.3 半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子
    • 2.4 シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT
    • 2.5 半導体表面空間電荷層:空乏層
    • 2.6 シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位
    • 2.7 シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性
    • 2.8 シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果
  • 3.二次元電子のアンダーソン局在
    • 3.1 二次元ドナーと二次元伝導帯
    • 3.2 二次元電子の低温における電気伝導
    • 3.3 アンダーソン局在
    • 3.4 アンダーソン局在のスケーリング理論
    • 3.5 二次元電子における弱局在効果
    • 3.6 有限温度における二次元電子の弱局在
    • 3.7 二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗
    • 3.8 負磁気抵抗による電子温度の測定と電子−格子相互作用
    • 3.9 GaAsヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展
    • 3.10 GaAsヘテロ接合二次元電子のスピン−軌道相互作用
    • 3.11 二次元電子の金属絶縁体転移
    • 3.12 Appendix
  • 4.強磁場中の二次元電子の電気伝導
    • 4.1 磁場中の二次元電子による電気伝導
    • 4.2 強磁場中の二次元電子
    • 4.3 強磁場中の二次元電子の対角伝導率
    • 4.4 強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在
    • 4.5 多体効果によるスピン分離の拡大
    • 4.6 谷分離
    • 4.7 強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定
  • 5.量子ホール効果
    • 5.1 電子局在と量子ホール効果
    • 5.2 量子化ホール抵抗の高精度測定
    • 5.3 量子ホール効果による抵抗標準RK−90と基礎物理定数
    • 5.4 1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定
    • 5.5 量子ホール効果の理論的考察
    • 5.6 量子ホール効果に関連する実験