１．序章
- １．１表面電気伝導と表面散乱
- １．２半導体界面量子効果と二次元電子
- １．３二次元電子の弱局在と負磁気抵抗
- １．４強磁場中の二次元電子：量子ホール効果
２．二次元電子
- ２．１二次元電子
- ２．２二次元電子の実現可能性
- ２．３半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子
- ２．４シリコンＭＯＳ型電界効果トランジスターとＨＥＭＴ
- ２．５半導体表面空間電荷層：空乏層
- ２．６シリコンｎチャネル反転層のエネルギー準位
- ２．７シリコンｎチャネル反転層の電子移動度の異方性
- ２．８シリコンｎチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果
３．二次元電子のアンダーソン局在
- ３．１二次元ドナーと二次元伝導帯
- ３．２二次元電子の低温における電気伝導
- ３．３アンダーソン局在
- ３．４アンダーソン局在のスケーリング理論
- ３．５二次元電子における弱局在効果
- ３．６有限温度における二次元電子の弱局在
- ３．７二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗
- ３．８負磁気抵抗による電子温度の測定と電子−格子相互作用
- ３．９ＧａＡｓヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展
- ３．１０ＧａＡｓヘテロ接合二次元電子のスピン−軌道相互作用
- ３．１１二次元電子の金属絶縁体転移
- ３．１２Ａｐｐｅｎｄｉｘ
４．強磁場中の二次元電子の電気伝導
- ４．１磁場中の二次元電子による電気伝導
- ４．２強磁場中の二次元電子
- ４．３強磁場中の二次元電子の対角伝導率
- ４．４強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在
- ４．５多体効果によるスピン分離の拡大
- ４．６谷分離
- ４．７強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定
５．量子ホール効果
- ５．１電子局在と量子ホール効果
- ５．２量子化ホール抵抗の高精度測定
- ５．３量子ホール効果による抵抗標準ＲＫ−９０と基礎物理定数
- ５．４１９９０年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定
- ５．５量子ホール効果の理論的考察
- ５．６量子ホール効果に関連する実験