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目次

電子デバイス工学

電子デバイス工学 (電気電子工学シリーズ)

  • 宮尾 正信(著/編集)/ 佐道 泰造(著)/ 岡田 龍雄(編集)/ 都甲 潔(編集)/ 二宮 保(編集)
  • 1.半導体の特徴とエネルギーバンド構造
    • 1.1 半導体の特徴
    • 1.2 エネルギーバンド構造
    • 1.3 エネルギーバンド構造の見方と物性
  • 2.半導体のキャリヤと電気伝導
    • 2.1 真性半導体と外因性半導体
    • 2.2 半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度
    • 2.3 半導体中の電気伝導
  • 3.pn接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード
    • 3.1 pn接合の物理
    • 3.2 pn接合の整流性
    • 3.3 pn接合の静電容量
    • 3.4 pn接合の逆電圧降伏
    • 3.5 ショットキー接触と整流性
  • 4.バイポーラトランジスタ
    • 4.1 基本構造と動作原理
    • 4.2 ベース接地回路の電流増幅率
    • 4.3 各種接地回路の電流増幅率
  • 5.MOS型電界効果トランジスタ
    • 5.1 MOS構造と基本特性
    • 5.2 MOS型電界効果トランジスタの基本特性
    • 5.3 MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題
  • 6.大規模集積回路
    • 6.1 大規模集積回路の分類
    • 6.2 大規模集積回路の基本回路

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