目次
電子デバイス工学 (電気電子工学シリーズ)
- 宮尾 正信(著/編集)/ 佐道 泰造(著)/ 岡田 龍雄(編集)/ 都甲 潔(編集)/ 二宮 保(編集)
- 1.半導体の特徴とエネルギーバンド構造
- 1.1 半導体の特徴
- 1.2 エネルギーバンド構造
- 1.3 エネルギーバンド構造の見方と物性
- 2.半導体のキャリヤと電気伝導
- 2.1 真性半導体と外因性半導体
- 2.2 半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度
- 2.3 半導体中の電気伝導
- 3.pn接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード
- 3.1 pn接合の物理
- 3.2 pn接合の整流性
- 3.3 pn接合の静電容量
- 3.4 pn接合の逆電圧降伏
- 3.5 ショットキー接触と整流性
- 4.バイポーラトランジスタ
- 4.1 基本構造と動作原理
- 4.2 ベース接地回路の電流増幅率
- 4.3 各種接地回路の電流増幅率
- 5.MOS型電界効果トランジスタ
- 5.1 MOS構造と基本特性
- 5.2 MOS型電界効果トランジスタの基本特性
- 5.3 MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題
- 6.大規模集積回路
- 6.1 大規模集積回路の分類
- 6.2 大規模集積回路の基本回路
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