目次
基礎からの半導体デバイス (実用理工学入門講座)
- 和保 孝夫(ほか著)
- 第1章 序論
- 1・1 背景
- 1・2 半導体デバイスの発展
- 第2章 半導体の電気的特性とpn接合
- 2・1 Siの結晶構造とエネルギーバンド
- 2・2 半導体中のキャリア
- 2・3 pn接合の定性的理解
- 2・4 pn接合の空乏層容量
- 演習問題2
- 第3章 電界効果型トランジスタ
- 3・1 MOS構造
- 3・2 MOSFETの構造と静特性
- 3・3 MOSFETの小信号等価回路と高速化の指針
- 演習問題3
- 第4章 CMOSインバータ
- 4・1 CMOSインバータの構成と動作
- 4・2 消費電力と動作速度
- 4・3 CMOSのスケール則
- 演習問題4
- 第5章 CMOS論理回路
- 5・1 スタティック理論回路
- 5・2 パスゲート
- 5・3 ダイナミック論理回路
- 演習問題5
- 第6章 LSIの設計
- 6・1 設計の手順
- 6・2 スタンダードセルとFPGA
- 6・3 低消費電力化技術
- 演習問題6
- 第7章 pn接合:バイポーラトランジスタの理解のために
- 7・1 フェルミ準位とキャリア濃度
- 7・2 キャリアの運動
- 7・3 pn接合ダイオードの理想電流電圧特性
- 演習問題7
- 第8章 バイポーラトランジスタ
- 8・1 バイポーラトランジスタの構造
- 8・2 動作原理
- 8・3 バイポーラトランジスタの静特性
- 8・4 直流動作の解析
- 8・5 高周波等価回路と周波数特性
- 8・6 ベース領域,コレクタ領域における諸現象
- 8・7 各種のバイポーラトランジスタ
- 演習問題8
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