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セーフサーチについて

性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示を調整できる機能です。
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※セーフサーチを「OFF」から「ON」に戻すと、次ページの表示もしくはページ更新後に認証が入ります。

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目次

  • 第1章 序論
    • 1・1 背景
    • 1・2 半導体デバイスの発展
  • 第2章 半導体の電気的特性とpn接合
    • 2・1 Siの結晶構造とエネルギーバンド
    • 2・2 半導体中のキャリア
    • 2・3 pn接合の定性的理解
    • 2・4 pn接合の空乏層容量
    • 演習問題2
  • 第3章 電界効果型トランジスタ
    • 3・1 MOS構造
    • 3・2 MOSFETの構造と静特性
    • 3・3 MOSFETの小信号等価回路と高速化の指針
    • 演習問題3
  • 第4章 CMOSインバータ
    • 4・1 CMOSインバータの構成と動作
    • 4・2 消費電力と動作速度
    • 4・3 CMOSのスケール則
    • 演習問題4
  • 第5章 CMOS論理回路
    • 5・1 スタティック理論回路
    • 5・2 パスゲート
    • 5・3 ダイナミック論理回路
    • 演習問題5
  • 第6章 LSIの設計
    • 6・1 設計の手順
    • 6・2 スタンダードセルとFPGA
    • 6・3 低消費電力化技術
    • 演習問題6
  • 第7章 pn接合:バイポーラトランジスタの理解のために
    • 7・1 フェルミ準位とキャリア濃度
    • 7・2 キャリアの運動
    • 7・3 pn接合ダイオードの理想電流電圧特性
    • 演習問題7
  • 第8章 バイポーラトランジスタ
    • 8・1 バイポーラトランジスタの構造
    • 8・2 動作原理
    • 8・3 バイポーラトランジスタの静特性
    • 8・4 直流動作の解析
    • 8・5 高周波等価回路と周波数特性
    • 8・6 ベース領域,コレクタ領域における諸現象
    • 8・7 各種のバイポーラトランジスタ
    • 演習問題8

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