サイト内検索

詳細検索

ヘルプ

セーフサーチについて

性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示を調整できる機能です。
ご利用当初は「セーフサーチ」が「ON」に設定されており、性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示が制限されています。
全ての作品を表示するためには「OFF」にしてご覧ください。
※セーフサーチを「OFF」にすると、アダルト認証ページで「はい」を選択した状態になります。
※セーフサーチを「OFF」から「ON」に戻すと、次ページの表示もしくはページ更新後に認証が入ります。

e-hon連携キャンペーン ~5/31

目次

  • 第1章 序論
    • 1・1 背景
    • 1・2 半導体デバイスの発展
  • 第2章 半導体の電気的特性とpn接合
    • 2・1 Siの結晶構造とエネルギーバンド
    • 2・2 半導体中のキャリア
    • 2・3 pn接合の定性的理解
    • 2・4 pn接合の空乏層容量
    • 演習問題2
  • 第3章 電界効果型トランジスタ
    • 3・1 MOS構造
    • 3・2 MOSFETの構造と静特性
    • 3・3 MOSFETの小信号等価回路と高速化の指針
    • 演習問題3
  • 第4章 CMOSインバータ
    • 4・1 CMOSインバータの構成と動作
    • 4・2 消費電力と動作速度
    • 4・3 CMOSのスケール則
    • 演習問題4
  • 第5章 CMOS論理回路
    • 5・1 スタティック理論回路
    • 5・2 パスゲート
    • 5・3 ダイナミック論理回路
    • 演習問題5
  • 第6章 LSIの設計
    • 6・1 設計の手順
    • 6・2 スタンダードセルとFPGA
    • 6・3 低消費電力化技術
    • 演習問題6
  • 第7章 pn接合:バイポーラトランジスタの理解のために
    • 7・1 フェルミ準位とキャリア濃度
    • 7・2 キャリアの運動
    • 7・3 pn接合ダイオードの理想電流電圧特性
    • 演習問題7
  • 第8章 バイポーラトランジスタ
    • 8・1 バイポーラトランジスタの構造
    • 8・2 動作原理
    • 8・3 バイポーラトランジスタの静特性
    • 8・4 直流動作の解析
    • 8・5 高周波等価回路と周波数特性
    • 8・6 ベース領域,コレクタ領域における諸現象
    • 8・7 各種のバイポーラトランジスタ
    • 演習問題8
×

hontoからおトクな情報をお届けします!

割引きクーポンや人気の特集ページ、ほしい本の値下げ情報などをプッシュ通知でいち早くお届けします。