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目次

半導体デバイスの基礎

半導体デバイスの基礎

  • 浜口 智尋(著)/ 谷口 研二(著)
  • 第1章 半導体の物理
    • 1.1 半導体とは
    • 1.2 結晶の周期性と格子振動
    • 1.3 半導体のエネルギー帯構造
    • 1.4 有効質量
    • 1.5 正孔の概念
    • 1.6 電子統計
  • 第2章 電気伝導
    • 2.1 電流の担い手
    • 2.2 電子のドリフト運動と移動度
    • 2.3 電子散乱の機構
    • 2.4 伝導電子の拡散
    • 2.5 キャリアの生成と再結合
    • 2.6 ホール効果
  • 第3章 pn接合型デバイス
    • 3.1 pn接合と電位障壁
    • 3.2 少数キャリアの注入とpn接合の整流特性
    • 3.3 トンネルダイオード
    • 3.4 バイポーラトランジスタ
  • 第4章 界面の物理と電界効果トランジスタ
    • 4.1 界面の物性
    • 4.2 金属・半導体接合の電気的特性
    • 4.3 MOS構造の物理
    • 4.4 MOS構造の静電容量
    • 4.5 MOSFETの基本動作特性
    • 4.6 短チャネルMOSFET特有の問題点
    • 4.7 各種MOSFETの構造
    • 4.8 基板バイアス効果
    • 4.9 電荷転送素子(CCD)
  • 第5章 光電効果デバイス
    • 5.1 光吸収
    • 5.2 発光ダイオード(LED)
    • 5.3 半導体レーザ
    • 5.4 光検出デバイス
  • 第6章 量子井戸デバイス
    • 6.1 量子井戸とは
    • 6.2 二次元電子ガスの状態密度
    • 6.3 変調ドープと高電子移動度トランジスタ
    • 6.4 その他のヘテロ構造トランジスタ
    • 6.5 多重量子井戸レーザ
  • 第7章 その他のデバイス
    • 7.1 ガンダイオード
    • 7.2 磁気センサ
    • 7.3 量子ホール効果を用いた標準抵抗
  • 付録
    • A 電子散乱と緩和時間
    • B 磁気抵抗効果
    • C バリスティック伝導とランダウアー公式
    • D 捕獲と再結合(ショックレー・リードの統計)
    • E 誘導放出と分布反転
    • F 遷移確率と吸収係数の導出
    • G インパットダイオード
    • H 圧力センサ

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