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目次

半導体の基礎 量子力学・半導体物性からデバイス応用

半導体の基礎 量子力学・半導体物性からデバイス応用

  • 入江 泰三(共著)/ 中西 久幸(共著)/ 杉山 睦(共著)
  • 第1章 量子力学の基礎
    • 1.1 シュレディンガー方程式の導出
    • 1.2 物理量の量子化
    • 1.3 固有値
    • 1.4 波動関数の解釈と満たすべき条件
    • 1.5 物理量の期待値
    • 1.6 一次元の井戸型ポテンシャル
    • 1.7 三次元の井戸型ポテンシャル
    • 1.8 調和振動子
    • 1.9 トンネル効果
    • 第1章 演習問題
  • 第2章 原子結合と結晶−格子振動
    • 2.1 原子結合
    • 2.2 原子結合のタイプ
    • 2.3 結晶と対称性
    • 2.4 ミラー指数と逆格子
    • 2.5 一次元単原子格子
    • 2.6 一次元二原子格子
    • 2.7 格子振動の量子化−フォノンの概念
    • 第2章 演習問題
  • 第3章 エネルギー帯
    • 3.1 自由電子エネルギー
    • 3.2 周期的ポテンシャル中の波動関数−Bloch関数
    • 3.3 エネルギー帯
    • 3.4 エネルギー帯−孤立原子からのアプローチ
    • 第3章 演習問題
  • 第4章 電子のエネルギー分布と運動
    • 4.1 電子のエネルギー分布
    • 4.2 電子の運動
    • 4.3 負の有効質量−正孔の概念
    • 4.4 金属,半導体,絶縁体の違い−正孔による伝導
    • 第4章 演習問題
  • 第5章 半導体
    • 5.1 電気伝導現象
    • 5.2 半導体中のキャリア伝導
    • 5.3 真性半導体
    • 5.4 半導体における不純物−ドナーとアクセプタ
    • 5.5 不純物半導体のキャリア統計
    • 5.6 半導体の電気伝導現象−理論と実験の比較
    • 5.7 過剰少数キャリア
    • 5.8 アインシュタインの関係式
    • 第5章 演習問題
  • 第6章 半導体デバイス
    • 6.1 はじめに
    • 6.2 pn接合
    • 6.3 pn接合ダイオード
    • 6.4 バイポーラトランジスタ
    • 6.5 MOSキャパシタ
    • 6.6 MOSFET
    • 6.7 発行と受光
    • 6.8 発光ダイオード
    • 6.9 レーザダイオード
    • 6.10 フォトダイオード
    • 6.11 太陽電池
    • 第6章 演習問題