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目次

これからスタート!電気電子材料

これからスタート!電気電子材料

  • 伊藤 國雄(共著)/ 原田 寛治(共著)
  • 第1章 水素原子構造と量子論
    • 1.1 水素原子の構造(ボーアの理論)
    • 1.2 ボーアの理論に基づく水素原子内の電子の遷移による発光
    • 1.3 量子力学的考えによる水素原子内部の電子の軌道
    • 1.4 電子のスピン
    • 1.5 パウリの排他原理
  • 第2章 固体における化学結合
    • 2.1 原子間力と化学結合
    • 2.2 イオン結晶
    • 2.3 共有結合結晶
    • 2.4 金属結晶
    • 2.5 ファンデルワールス結晶
    • 2.6 水素結合結晶
  • 第3章 結晶構造
    • 3.1 単位細胞とミラー指数
    • 3.2 原子半径と結晶の充塡率
    • 3.3 結晶によるX線回折
  • 第4章 金属の電気伝導
    • 4.1 平均ドリフト速度と移動度
    • 4.2 フェルミ速度と平均自由行程
    • 4.3 金属中の電子の散乱と電気抵抗
    • 4.4 金属の熱伝導率
  • 第5章 帯域理論
    • 5.1 フェルミ・ディラックの統計
    • 5.2 状態密度と電子密度分布
    • 5.3 エネルギーバンド構造
    • 5.4 有効質量
  • 第6章 半導体の導電率
    • 6.1 真性半導体の導電率
    • 6.2 不純物半導体の導電率
  • 第7章 半導体と金属の接触による電子現象
    • 7.1 仕事関数
    • 7.2 半導体と金属の接触
    • 7.3 半導体と金属の接触による整流特性
  • 第8章 p−n接合における電子現象
    • 8.1 p−n接合における障壁の厚さと容量
    • 8.2 p−n接合の整流特性
    • 8.3 縮退半導体よりなるp−n接合(トンネルダイオード)
  • 第9章 半導体材料
    • 9.1 半導体材料の種類と構造
    • 9.2 結晶成長技術
    • 9.3 p−n接合の製法
    • 9.4 トランジスタの製法
    • 9.5 半導体集積回路(IC:Intergrated Circuit)の製法
  • 第10章 光半導体材料
    • 10.1 p−n接合による発光メカニズム
    • 10.2 直接遷移型半導体と間接遷移型半導体
    • 10.3 発光ダイオード用半導体材料
    • 10.4 発光ダイオードの構造と製法
    • 10.5 半導体レーザの発振条件
    • 10.6 半導体レーザの構造
    • 10.7 半導体レーザの製法
    • 10.8 受光素子とその製法
  • 第11章 光通信用材料、光ディスク用材料
    • 11.1 光通信用材料
    • 11.2 光ディスク用材料
  • 第12章 超伝導材料
    • 12.1 超伝導の発見
    • 12.2 超伝導の発生原因
    • 12.3 超伝導の基本的現象
    • 12.4 超伝導材料
    • 12.5 超伝導材料の応用
  • 第13章 磁性体
    • 13.1 磁性体の磁化
    • 13.2 磁性体の分類
    • 13.3 原子の磁気モーメント
    • 13.4 磁性材料の種類
    • 13.5 高透磁率材料
    • 13.6 永久磁石材料
  • 第14章 誘電体
    • 14.1 誘電分極
    • 14.2 誘電分極の機構
    • 14.3 強誘電体
    • 14.4 圧電効果と電気ひずみ
    • 14.5 誘電体の電気伝導
    • 14.6 絶縁破壊
  • 第15章 その他の各種材料
    • 15.1 導電材料
    • 15.2 抵抗材料
    • 15.3 新炭素材料
  • 参考文献
  • 付録
    • 付録1 14種のブラベー格子
    • 付録2 格子振動と比熱
    • 付録3 ブロッホ関数、クローニッヒ・ペニーのモデル、ブリルアン領域
    • 付録4 CMOSインバータの原理と製法
    • 付録5 定常状態のシュレーディンガーの波動方程式の導出
    • 付録6 各種半導体材料の格子定数とエネルギーギャップとの関係
    • 付録7 半導体レーザの特性