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目次

  • 序章 電子デバイスの学び方
    • 1 トランジスタ開発の歴史を振り返ろう
    • 2 本書の構成
    • 3 電子デバイスの学び方
  • 1章 半導体の基礎
    • 1 半導体のエネルギーバンドとは?
    • 2 正の電荷をもつ粒子−正孔とは?
    • 3 半導体にキャリヤを導入する
    • 4 キャリヤ濃度とフェルミ準位について学ぼう
    • 5 半導体中で電気はどのように流れるのか?
    • 6 拡散電流とは何か?
    • 7 少数キャリヤ連続の式
    • まとめ
    • 演習問題
  • 2章 pn接合
    • 1 pn接合の構造とエネルギーバンド図,内蔵電位,分布関数を理解しよう
    • 2 少数キャリヤの注入と拡散
    • 3 pn接合の電流−電圧特性を理解しよう
    • 4 pn接合の容量を計算してみよう
    • 5 逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう
    • 6 トンネルダイオードの特性を理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 3章 バイポーラトランジスタ
    • 1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう
    • 2 電流増輻率は何によって決まるのか
    • 3 低電流,高電流での電流増幅率低下はなぜ起こるのか
    • 4 アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう
    • 5 遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 4章 pn接合を用いた複合素子
    • 1 pnダイオードと伝導度変調効果
    • 2 サイリスタの構造と動作原理を理解しよう
    • 3 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 5章 絶縁体−半導体界面
    • 1 MIS構造と界面準位を理解しよう
    • 2 理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう
    • 3 実際のMIS構造を理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 6章 MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)
    • 1 構造と動作原理を理解しよう
    • 2 電流−電圧特性を理解しよう
    • 3 エンハンスメント形とデプレション形の違いを理解しよう
    • 4 nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 7章 MOS形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
    • 1 MOSFETの諸現象を理解しよう
    • 2 電荷結合素子を理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 8章 ショットキー接合とヘテロ接合
    • 1 ショットキー接合について学ぼう
    • 2 ヘテロ接合を理解しよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
    • 1 ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
    • 2 接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
    • 3 高電子移動度トランジスタについて学ぼう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    • 1 バイポーラトランジスタを復習しよう
    • 2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう
    • 3 電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう
    • 4 HBTの利点を整理しよう
    • 5 ベース電流の要因と電流増幅率について考えよう
    • まとめ
    • 演習問題
  • 11章 量子効果デバイス
    • 1 デバイスサイズの縮小とトンネル効果
    • 2 実際のMOSFETにおけるトンネル効果
    • 3 トンネル現象の応用−フラッシュメモリ
    • 4 さらに高度なトンネル効果−共鳴トンネル効果
    • 5 もっと電子を閉じ込めると何が起こる?
    • まとめ
    • 演習問題
  • 12章 デバイスの集積
    • 1 MOS集積回路の構造と作り方
    • 2 相補形論理回路とは?
    • 3 値を記憶する回路
    • まとめ
    • 演習問題

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