序章電子デバイスの学び方
- １トランジスタ開発の歴史を振り返ろう
- ２本書の構成
- ３電子デバイスの学び方
１章半導体の基礎
- １半導体のエネルギーバンドとは？
- ２正の電荷をもつ粒子−正孔とは？
- ３半導体にキャリヤを導入する
- ４キャリヤ濃度とフェルミ準位について学ぼう
- ５半導体中で電気はどのように流れるのか？
- ６拡散電流とは何か？
- ７少数キャリヤ連続の式
- まとめ
- 演習問題
２章ｐｎ接合
- １ｐｎ接合の構造とエネルギーバンド図，内蔵電位，分布関数を理解しよう
- ２少数キャリヤの注入と拡散
- ３ｐｎ接合の電流−電圧特性を理解しよう
- ４ｐｎ接合の容量を計算してみよう
- ５逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう
- ６トンネルダイオードの特性を理解しよう
- まとめ
- 演習問題
３章バイポーラトランジスタ
- １バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう
- ２電流増輻率は何によって決まるのか
- ３低電流，高電流での電流増幅率低下はなぜ起こるのか
- ４アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう
- ５遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう
- まとめ
- 演習問題
４章ｐｎ接合を用いた複合素子
- １ｐｎダイオードと伝導度変調効果
- ２サイリスタの構造と動作原理を理解しよう
- ３絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解しよう
- まとめ
- 演習問題
５章絶縁体−半導体界面
- １ＭＩＳ構造と界面準位を理解しよう
- ２理想的なＭＩＳ構造の基本特性を理解しよう
- ３実際のＭＩＳ構造を理解しよう
- まとめ
- 演習問題
６章ＭＯＳ形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
- １構造と動作原理を理解しよう
- ２電流−電圧特性を理解しよう
- ３エンハンスメント形とデプレション形の違いを理解しよう
- ４ｎチャネルとｐチャネルの違いを理解しよう
- まとめ
- 演習問題
７章ＭＯＳ形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
- １ＭＯＳＦＥＴの諸現象を理解しよう
- ２電荷結合素子を理解しよう
- まとめ
- 演習問題
８章ショットキー接合とヘテロ接合
- １ショットキー接合について学ぼう
- ２ヘテロ接合を理解しよう
- まとめ
- 演習問題
９章ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
- １ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
- ２接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
- ３高電子移動度トランジスタについて学ぼう
- まとめ
- 演習問題
１０章ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- １バイポーラトランジスタを復習しよう
- ２ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう
- ３電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう
- ４ＨＢＴの利点を整理しよう
- ５ベース電流の要因と電流増幅率について考えよう
- まとめ
- 演習問題
１１章量子効果デバイス
- １デバイスサイズの縮小とトンネル効果
- ２実際のＭＯＳＦＥＴにおけるトンネル効果
- ３トンネル現象の応用−フラッシュメモリ
- ４さらに高度なトンネル効果−共鳴トンネル効果
- ５もっと電子を閉じ込めると何が起こる？
- まとめ
- 演習問題
１２章デバイスの集積
- １ＭＯＳ集積回路の構造と作り方
- ２相補形論理回路とは？
- ３値を記憶する回路
- まとめ
- 演習問題