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目次

半導体デバイスシリーズ 1 集積ナノデバイス

半導体デバイスシリーズ 1 集積ナノデバイス

  • 權田 俊一(編集)/ 谷口 研二(編集)/ 平本 俊郎(編著)/ 内田 建(著)/ 杉井 信之(著)/ 竹内 潔(著)
  • 1 序論
    • 1.1 スケーリング則とムーアの法則
    • 1.2 集積ナノデバイスの諸問題
    • 1.3 本書の構成
  • 2 MOSトランジスタの基礎
    • 2.1 MOSトランジスタの構造と動作
    • 2.2 MOSトランジスタの1次近似モデル
    • 2.3 MOS容量(電荷密度と表面電位の関係)
    • 2.4 pn接合付きMOS容量の少数キャリア
    • 2.5 長チャネルトランジスタ
    • 2.6 スケーリング則
    • 2.7 短チャネルトランジスタ
    • 2.8 MOSトランジスタにおける量子効果
    • 2.9 まとめ
  • 3 微細トランジスタの性能向上
    • 3.1 極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ
    • 3.2 移動度向上技術(ひずみSi,新チャネル材料)
    • コラム1 3次元構造トランジスタの分類
    • コラム2 インテルのひずみSi技術について
  • 4 微細化・集積化にともなう諸問題
    • 4.1 スケーリングによる微細化とその課題
    • 4.2 微細MOSFETの信頼性
    • 4.3 ソフトエラー
    • 4.4 微細トランジスタのばらつき
  • 5 将来展望
    • 5.1 将来に向けての技術動向
    • 5.2 集積ナノデバイスマップ
    • 5.3 将来の集積ナノデバイス候補
    • 5.4 集積ナノデバイスのビジョンマップ