サイト内検索

詳細検索

ヘルプ

セーフサーチについて

性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示を調整できる機能です。
ご利用当初は「セーフサーチ」が「ON」に設定されており、性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示が制限されています。
全ての作品を表示するためには「OFF」にしてご覧ください。
※セーフサーチを「OFF」にすると、アダルト認証ページで「はい」を選択した状態になります。
※セーフサーチを「OFF」から「ON」に戻すと、次ページの表示もしくはページ更新後に認証が入ります。

送料無料 日付更新(2017年7月)

【HB】お店とネット利用で最大200ポイントプレゼントキャンペーン(~9/30)

目次

発光ダイオード

発光ダイオード

  • E.フレッド・シューベルト(著)/ 八百 隆文(訳)/ 藤井 克司(訳)/ 神門 賢二(訳)
  • 1 LEDの歴史
    • 1.1 SiC LEDの歴史
    • 1.2 GaAsとAlGaAs赤外および赤色LEDの歴史
    • 1.3 GaAsP LEDの歴史
    • 1.4 光学活性な不純物をドープしたGaPとGaAsP LEDの歴史
    • 1.5 GaN金属−半導体接合によるELの歴史
    • 1.6 GaInNのpn接合による青,緑,白色LEDの歴史
    • 1.7 AlGaIn可視波長帯のLEDの歴史
    • 1.8 新たな応用分野を切り開きつつあるLEDの歴史
  • 2 発光再結合と非発光再結合
    • 2.1 電子−正孔の発光再結合
    • 2.2 低励起の場合の発光再結合
    • 2.3 高励起の場合の発光再結合
    • 2.4 量子井戸構造における2分子再結合方程式
    • 2.5 ルミネッセンスの減衰
    • 2.6 バルクにおける非発光再結合
    • 2.7 表面における非発光再結合
    • 2.8 発光再結合と非発光再結合の競合
  • 3 発光再結合の理論
    • 3.1 再結合の量子論
    • 3.2 ファン=ルーズブレック−ショックレーモデル
    • 3.3 再結合の温度とドーピングに対する依存性
    • 3.4 アインシュタインモデル
  • 4 LEDの基礎−電気的特性
    • 4.1 ダイオードの電流−電圧特性
    • 4.2 理想的なI−V特性からのずれ
    • 4.3 ダイオードの寄生抵抗の評価
    • 4.4 発光エネルギー
    • 4.5 pnホモ接合におけるキャリアの分布
    • 4.6 pnヘテロ接合におけるキャリアの拡散
    • 4.7 ヘテロ構造のデバイス抵抗への影響
    • 4.8 ダブルヘテロ構造におけるキャリア損失
    • 4.9 ダブルヘテロ構造におけるキャリアのオーバフロー
    • 4.10 電子ブロッキング層
    • 4.11 ダイオードの電圧
  • 5 LEDの基礎−光学的特性
    • 5.1 内部効率,取出し効率,外部効率,出力効率
    • 5.2 エミッションスペクトル
    • 5.3 光のエスケープコーン
    • 5.4 放射パターン
    • 5.5 ランバート型放射パターン
    • 5.6 エポキシキャッピング
    • 5.7 発光強度の温度依存性
  • 6 接合温度とキャリア温度
    • 6.1 発光スペクトルの高エネルギー側のテールとキャリアの温度
    • 6.2 接合温度と発光スペクトルのピーク波長
    • 6.3 ダイオードの順方向電圧の温度依存性の理論
    • 6.4 順方向電圧を用いた接合温度の測定
    • 6.5 定電流・定電圧直流駆動回路
  • 7 高内部効率LEDの設計
    • 7.1 ヘテロ構造による内部量子効率の増加
    • 7.2 活性領域のドーピング
    • 7.3 pn接合の移動
    • 7.4 閉じ込め領域のドーピング
    • 7.5 非発光再結合
    • 7.6 格子整合
  • 8 電流の流れの設計
    • 8.1 電流広がり層
    • 8.2 電流広がりの理論
    • 8.3 絶縁性基板上のLEDにおける電流集中
    • 8.4 横方向の電流注入方式
    • 8.5 電流ブロッキング層
  • 9 高光取出し効率構造
    • 9.1 半導体によるバンドギャップ以下光の吸収
    • 9.2 ダブルヘテロ構造
    • 9.3 LEDチップの構造化
    • 9.4 テクスチャをつけた半導体表面
    • 9.5 十字型電極とそのほかの電極形状
    • 9.6 透明基板を用いる技術
    • 9.7 反射防止光学コーティング
    • 9.8 フリップチップ実装
  • 10 反射構造
    • 10.1 金属反射構造,反射接合と透過接合
    • 10.2 全反射構造
    • 10.3 分布型ブラッグ反射構造
    • 10.4 全方位反射構造
    • 10.5 鏡面反射構造と拡散反射構造
  • 11 実装
    • 11.1 低出力および高出力用パッケージ
    • 11.2 静電圧放電(ESD)に対する防御
    • 11.3 パッケージの熱抵抗
    • 11.4 封止の化学
    • 11.5 高級な封止構造
  • 12 可視LED
    • 12.1 GaAsP,GaP,GaAsP:N,GaP:N系
    • 12.2 AlGaAs/GaAs系
    • 12.3 AlGaInP/GaAs系
    • 12.4 GaInN系
    • 12.5 高輝度LEDの一般的な特性
    • 12.6 高輝度LEDの光学的特性
    • 12.7 高輝度LEDの電気的特性
  • 13 AlGaInN系と紫外発光素子
    • 13.1 UVスペクトル範囲
    • 13.2 AlGaInNのバンドギャップ
    • 13.3 Ⅲ−Ⅴ族窒化物の分極特性
    • 13.4 Ⅲ−Ⅴ族窒化物のドーピングの活性化
    • 13.5 Ⅲ−Ⅴ族窒化物の転位
    • 13.6 360nmより長い波長で発光するUVデバイス
    • 13.7 360nmより短い波長で発光するUVデバイス
  • 14 共振器からの自然発光
    • 14.1 自然発光の調整
    • 14.2 ファブリ−ペロー共振器
    • 14.3 1次元共振器の光モード密度
    • 14.4 スペクトル発光の増幅
    • 14.5 積分発光の増幅
    • 14.6 実験的な発光の増幅と角度依存性
  • 15 共振器発光ダイオード
    • 15.1 導入と歴史
    • 15.2 RCLEDのデザインルール
    • 15.3 930nmで発光するGaInAs/GaAs RCLED
    • 15.4 650nmで発光するAlGaInP/GaAs RCLED
    • 15.5 広い領域で光をリサイクルするLED
    • 15.6 閾値のないレーザ
    • 15.7 そのほかのRCLEDデバイス
    • 15.8 そのほかの新しい光閉じ込め発光素子
  • 16 人間の眼の感度と測光量
    • 16.1 人間の眼の光受容器
    • 16.2 基本的な測光放射量
    • 16.3 眼の感度関数
    • 16.4 準単色光の色
    • 16.5 視感効果度と光源効率
    • 16.6 明るさと人間視覚の直線性
    • 16.7 概日リズムと概日感度
  • 17 測色
    • 17.1 等色関数と色度図
    • 17.2 色純度
    • 17.3 LEDの色度座標
    • 17.4 色度と色の関係
  • 18 プランク光源と色温度
    • 18.1 太陽光スペクトル
    • 18.2 プランク分布
    • 18.3 色温度と相関色温度
  • 19 混色と演色性
    • 19.1 加法混色
    • 19.2 演色
    • 19.3 黒体軌跡上の光源の演色評価数
    • 19.4 黒体軌跡から外れる光源の演色評価数
  • 20 LEDを利用する白色光源
    • 20.1 LEDから発生する白色光
    • 20.2 2波長光源による白色の発生
    • 20.3 3波長光源による白色の発生
    • 20.4 3波長白色LED光源の温度依存性
    • 20.5 4波長または5波長光源による白色の発生
  • 21 波長変換材料を利用する白色光源
    • 21.1 波長変換材料の効率
    • 21.2 波長変換材料
    • 21.3 蛍光体
    • 21.4 蛍光体変換型白色LED
    • 21.5 蛍光体の空間分布
    • 21.6 紫外光励起蛍光体による白色LED
    • 21.7 半導体変換型白色LED
    • 21.8 PRS−LEDの光強度計算
    • 21.9 PRS−LEDの光源効率計算
    • 21.10 PRS−LEDのスペクトル
    • 21.11 色素変換型白色LED
  • 22 光通信
    • 22.1 光ファイバの種類
    • 22.2 石英ガラスならびにプラスチックファイバの光吸収
    • 22.3 ファイバ中のモード拡散
    • 22.4 ファイバ中の物質拡散
    • 22.5 ファイバの開口数
    • 22.6 レンズによる接合
    • 22.7 光無線通信
  • 23 通信用LED
    • 23.1 無線通信用LED
    • 23.2 光ファイバ通信用LED
    • 23.3 870nmの光を放射する表面放射バラス型通信用LED
    • 23.4 1300nmの光を放射する表面放射型通信用LED
    • 23.5 650nmの光を放射する通信用LED
    • 23.6 端面放射型スーパルミネッセンスLED(SLD)
  • 24 発光ダイオードの変調特性
    • 24.1 立上りおよび立下り時間,3dB周波数,線形回路理論のバンド幅
    • 24.2 大きなダイオード容量で制限された立上りおよび立下り時間
    • 24.3 小さなダイオード容量で制限された立上りおよび立下り時間
    • 24.4 立上りおよび立下り時間の電圧依存
    • 24.5 活性領域のキャリア掃出し
    • 24.6 電流パルスの整形
    • 24.7 3dB周波数
    • 24.8 アイダイアグラム
    • 24.9 キャリア寿命と3dB周波数