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目次

ナノCMOS集積回路

ナノCMOS集積回路

  • 榎本 忠儀(著)
  • 1 MOS容量
    • 1.1 MOS構造とその特性
    • 1.2 MOS容量の電圧依存性
    • 1.3 仕事関数の差と界面準位の影響
  • 2 MOS形電界効果トランジスタ
    • 2.1 MOSFETの構造
    • 2.2 nMOSFETの基本動作
    • 2.3 MOSFETのスイッチ機能
    • 2.4 nMOSFETの動作と特性
    • 2.5 pMOSFETのドレイン電流と特性
  • 3 CMOSディジタル基本回路
    • 3.1 MOSFETスイッチ
    • 3.2 CMOSインバータの直流伝達特性
    • 3.3 CMOS論理ゲート
    • 3.4 デコーダ
    • 3.5 セレクタ
    • 3.6 フリップフロップ
  • 4 CMOSディジタル回路の性能
    • 4.1 CMOS回路とその寄生素子
    • 4.2 配線抵抗と配線容量
    • 4.3 MOSFETの抵抗
    • 4.4 MOSFETの容量
    • 4.5 スイッチング特性
    • 4.6 同期回路の課題
    • 4.7 同期回路の高スループット化
  • 5 CMOSディジタル演算回路
    • 5.1 加算回路
    • 5.2 加算回路の応用回路
    • 5.3 桁あふれ機能とこれを搭載した加算回路
    • 5.4 絶対値関連回路
    • 5.5 加算回路の高速化
    • 5.6 乗算回路
  • 6 半導体メモリ
    • 6.1 半導体メモリの分類
    • 6.2 半導体メモリの基本構成と動作
    • 6.3 SRAM
    • 6.4 DRAM
    • 6.5 リードオンリーメモリ(ROM)
    • 6.6 レジスタファイル
  • 7 プロセッサとその制御方式
    • 7.1 仮想マイクロプロセッサ
    • 7.2 命令形式と動作内容
    • 7.3 データパス部の構成とデータパス制御
    • 7.4 パイプライン方式による命令の実行とデータの移動
  • 8 消費電力
    • 8.1 CMOS論理ゲートの消費電力
    • 8.2 LSIのダイナミック消費電力と削減方法
    • 8.3 スタチック電力と削減方法