サイト内検索

詳細検索

ヘルプ

セーフサーチについて

性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示を調整できる機能です。
ご利用当初は「セーフサーチ」が「ON」に設定されており、性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示が制限されています。
全ての作品を表示するためには「OFF」にしてご覧ください。
※セーフサーチを「OFF」にすると、アダルト認証ページで「はい」を選択した状態になります。
※セーフサーチを「OFF」から「ON」に戻すと、次ページの表示もしくはページ更新後に認証が入ります。

送料無料 日付更新(2017年7月)

【ネットストア】カレンダー全品ポイント5倍キャンペーン(~10/31)

目次

  • 1章 結晶と自由電子
    • 1.1 物質の抵抗率
    • 1.2 固体の結晶構造と自由電子
    • 演習問題
  • 2章 エネルギー帯とキャリア
    • 2.1 束縛された電子のエネルギー
    • 2.2 半導体内の電子エネルギー
    • 2.3 半導体のエネルギー帯とキャリア
    • 2.4 正孔のエネルギー
    • 2.5 導体,絶縁体,半導体のエネルギー帯構造
    • 2.6 真性半導体
    • 2.7 外因性半尊体
    • 演習問題
  • 3章 半導体のキャリア密度とフェルミ準位
    • 3.1 熱平衡状態とキャリア密度
    • 3.2 キャリア密度とフェルミ準位
    • 演習問題
  • 4章 半導体中の電気伝導
    • 4.1 ドリフト電流
    • 4.2 ホール効果
    • 4.3 拡散と再結合・励起
    • 4.4 キャリア連続の式
    • 演習問題
  • 5章 pn接合とダイオード
    • 5.1 階段形pn接合
    • 5.2 空乏層と拡散電位
    • 5.3 空乏層の特性
    • 5.4 電流−電圧特性
    • 5.5 降伏
    • 演習問題
  • 6章 バイポーラトランジスタ
    • 6.1 トランジスタの分類
    • 6.2 接合型トランジスタの構成
    • 6.3 増幅動作の概要
    • 6.4 ベース接地電流増幅率
    • 6.5 電流−電圧特性
    • 6.6 ベース走行時間と周波数特性
    • 6.7 電圧増幅率
    • 6.8 出力回路の消費電力
    • 演習問題
  • 7章 金属,半導体,絶縁物の接触
    • 7.1 半導体の表面準位
    • 7.2 金属と半導体の接触
    • 7.3 ショットキーダイオード
    • 7.4 金属,絶縁物,半導体の接触と理想MOS構造
    • 7.5 蓄積,空乏,反転
    • 7.6 理想MOSの反転しきい値電圧
    • 7.7 理想MOSの容量
    • 7.8 理想MOSでない場合の補正
    • 演習問題
  • 8章 電界効果トランジスタ
    • 8.1 電界効果トランジスタの分類
    • 8.2 接合型FETの構造と動作原理
    • 8.3 絶縁膜型FETの構造と動作原理
    • 8.4 チャネル走行時間と遮断周波数
    • 8.5 小信号等価回路
    • 8.6 電圧増幅率
    • 演習問題
  • 9章 集積回路概論
    • 9.1 集積回路の分類
    • 9.2 モノリシックICの素子構造と製法
    • 9.3 モノリシックICの動作概要
    • 9.4 モノリシックICの特徴
    • 演習問題