目次
半導体デバイス入門
- 大豆生田 利章（著）
- 第１章 半導体の性質−基礎編−
- １．１ 抵抗率と導電率
- １．２ 半導体の分類
- １．３ 共有結合とキャリヤ
- １．４ エネルギー帯
- １．５ 真性半導体と不純物半導体
- １．６ 導電率とキャリヤ密度
- １．７ フェルミエネルギー
- 章末問題
- 第２章 ダイオード
- ２．１ ｐｎ接合ダイオードの基本
- ２．２ 空乏層と拡散電位
- ２．３ ｐｎ接合の電圧電流特性
- ２．４ 過剰キャリヤと拡散電流
- ２．５ 接合容量と可変容量ダイオード
- ２．６ 降伏現象と定電圧ダイオード
- 章末問題
- 第３章 バイポーラトランジスタ
- ３．１ バイポーラトランジスタの構造
- ３．２ バイポーラトランジスタの動作原理
- ３．３ バイポーラトランジスタの電圧電流特性
- ３．４ バイポーラトランジスタの小信号動作
- ３．５ バイポーラトランジスタの小信号等価回路
- ３．６ バイポーラトランジスタの電流増幅率の周波数特性
- ３．７ バイポーラトランジスタの高周波等価回路
- ３．８ バイポーラトランジスタの大振幅動作
- 章末問題
- 第４章 電界効果トランジスタ
- ４．１ ＭＯＳ形電界効果トランジスタの構造と動作原理
- ４．２ ＭＩＳ構造の動作
- ４．３ ＭＯＳＦＥＴの電圧電流特性
- ４．４ エンハンスメント形ＦＥＴとデプレション形ＦＥＴ
- ４．５ ＭＯＳＦＥＴの小信号動作と大振幅動作
- ４．６ ＭＯＳＦＥＴの小信号等価回路
- ４．７ 短チャネル効果
- ４．８ 接合形電界効果トランジスタ
- ４．９ ショットキー障壁形電界効果トランジスタ
- 章末問題
- 第５章 半導体集積回路
- ５．１ 集積回路の分類
- ５．２ 集積回路作製技術
- ５．３ バイポーラ集積回路
- ５．４ ＭＯＳ集積回路
- 章末問題
- 第６章 光素子
- ６．１ 受光素子
- ６．２ 発光素子
- 章末問題
- 第７章 半導体メモリ
- ７．１ 半導体メモリの分類と構成
- ７．２ ＳＲＡＭ
- ７．３ ＤＲＡＭ
- ７．４ マスクＲＯＭ
- ７．５ ＥＰＲＯＭ
- ７．６ ＥＥＰＲＯＭ
- ７．７ フラッシュメモリ
- 章末問題
- 第８章 その他の半導体デバイス
- ８．１ 電界効果素子
- ８．２ マイクロ波用半導体デバイス
- ８．３ 電力用半導体デバイス
- 章末問題
- 第９章 半導体の性質−発展編−
- ９．１ ホール効果
- ９．２ 半導体中のキャリヤ密度
- ９．３ フェルミエネルギーと拡散電位
- ９．４ キャリヤ密度の温度依存性
- ９．５ 固体中の電子の運動方程式
- ９．６ キャリヤの拡散方程式
- 章末問題
- 付録Ａ 各種定数
- 付録Ｂ 物理公式
- 付録Ｃ 偏微分
- 付録Ｄ 半導体デバイスの型名
- 付録Ｅ 半導体デバイスの最大定格
- 付録Ｆ ＪＩＳ規格外の図記号
- 付録Ｇ エネルギー帯の形成
- 付録Ｈ 空乏層幅の導出
- 付録Ｉ 再結合によるキャリヤの平均寿命の導出
- 付録Ｊ 接合容量の導出
- 付録Ｋ ベース接地電流増幅率の導出
- 付録Ｌ アーリー電圧の導出
- 付録Ｍ Ｅｂｅｒｓ−Ｍｏｌｌモデル
- 付録Ｎ 小信号動作の微分パラメータ
- 付録Ｏ Ｔ形等価回路とｈパラメータ
- 付録Ｐ ベース接地電流増幅率の周波数特性
- 付録Ｑ ベース走行時間の導出
- 付録Ｒ エミッタ接地電流増幅率の周波数特性
- 付録Ｓ 拡散容量の導出
- 付録Ｔ 真性トランジスタの等価回路
- 付録Ｕ ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間容量の導出
- 付録Ｖ ＪＦＥＴの電圧電流特性の導出
- 付録Ｗ バイポーラトランジスタの電流増幅率の電流依存性
- 付録Ｘ バイポーラトランジスタとＦＥＴの比較
- 付録Ｙ 半導体デバイスの特性の実測例
- 付録Ｚ 章末問題略解
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