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目次

半導体デバイス入門

半導体デバイス入門

  • 大豆生田 利章(著)
  • 第1章 半導体の性質−基礎編−
    • 1.1 抵抗率と導電率
    • 1.2 半導体の分類
    • 1.3 共有結合とキャリヤ
    • 1.4 エネルギー帯
    • 1.5 真性半導体と不純物半導体
    • 1.6 導電率とキャリヤ密度
    • 1.7 フェルミエネルギー
    • 章末問題
  • 第2章 ダイオード
    • 2.1 pn接合ダイオードの基本
    • 2.2 空乏層と拡散電位
    • 2.3 pn接合の電圧電流特性
    • 2.4 過剰キャリヤと拡散電流
    • 2.5 接合容量と可変容量ダイオード
    • 2.6 降伏現象と定電圧ダイオード
    • 章末問題
  • 第3章 バイポーラトランジスタ
    • 3.1 バイポーラトランジスタの構造
    • 3.2 バイポーラトランジスタの動作原理
    • 3.3 バイポーラトランジスタの電圧電流特性
    • 3.4 バイポーラトランジスタの小信号動作
    • 3.5 バイポーラトランジスタの小信号等価回路
    • 3.6 バイポーラトランジスタの電流増幅率の周波数特性
    • 3.7 バイポーラトランジスタの高周波等価回路
    • 3.8 バイポーラトランジスタの大振幅動作
    • 章末問題
  • 第4章 電界効果トランジスタ
    • 4.1 MOS形電界効果トランジスタの構造と動作原理
    • 4.2 MIS構造の動作
    • 4.3 MOSFETの電圧電流特性
    • 4.4 エンハンスメント形FETとデプレション形FET
    • 4.5 MOSFETの小信号動作と大振幅動作
    • 4.6 MOSFETの小信号等価回路
    • 4.7 短チャネル効果
    • 4.8 接合形電界効果トランジスタ
    • 4.9 ショットキー障壁形電界効果トランジスタ
    • 章末問題
  • 第5章 半導体集積回路
    • 5.1 集積回路の分類
    • 5.2 集積回路作製技術
    • 5.3 バイポーラ集積回路
    • 5.4 MOS集積回路
    • 章末問題
  • 第6章 光素子
    • 6.1 受光素子
    • 6.2 発光素子
    • 章末問題
  • 第7章 半導体メモリ
    • 7.1 半導体メモリの分類と構成
    • 7.2 SRAM
    • 7.3 DRAM
    • 7.4 マスクROM
    • 7.5 EPROM
    • 7.6 EEPROM
    • 7.7 フラッシュメモリ
    • 章末問題
  • 第8章 その他の半導体デバイス
    • 8.1 電界効果素子
    • 8.2 マイクロ波用半導体デバイス
    • 8.3 電力用半導体デバイス
    • 章末問題
  • 第9章 半導体の性質−発展編−
    • 9.1 ホール効果
    • 9.2 半導体中のキャリヤ密度
    • 9.3 フェルミエネルギーと拡散電位
    • 9.4 キャリヤ密度の温度依存性
    • 9.5 固体中の電子の運動方程式
    • 9.6 キャリヤの拡散方程式
    • 章末問題
  • 付録A 各種定数
  • 付録B 物理公式
  • 付録C 偏微分
  • 付録D 半導体デバイスの型名
  • 付録E 半導体デバイスの最大定格
  • 付録F JIS規格外の図記号
  • 付録G エネルギー帯の形成
  • 付録H 空乏層幅の導出
  • 付録I 再結合によるキャリヤの平均寿命の導出
  • 付録J 接合容量の導出
  • 付録K ベース接地電流増幅率の導出
  • 付録L アーリー電圧の導出
  • 付録M Ebers−Mollモデル
  • 付録N 小信号動作の微分パラメータ
  • 付録O T形等価回路とhパラメータ
  • 付録P ベース接地電流増幅率の周波数特性
  • 付録Q ベース走行時間の導出
  • 付録R エミッタ接地電流増幅率の周波数特性
  • 付録S 拡散容量の導出
  • 付録T 真性トランジスタの等価回路
  • 付録U MOSFETのゲート・ソース間容量の導出
  • 付録V JFETの電圧電流特性の導出
  • 付録W バイポーラトランジスタの電流増幅率の電流依存性
  • 付録X バイポーラトランジスタとFETの比較
  • 付録Y 半導体デバイスの特性の実測例
  • 付録Z 章末問題略解