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ブックオフ宅本便ページ修正(2018/1/1~1/31)

目次

半導体デバイスシリーズ 4 パワーデバイス

半導体デバイスシリーズ 4 パワーデバイス

  • 權田 俊一(編集)/ 谷口 研二(編集)/ 大橋 弘通(編著)/ 葛原 正明(編著)/ Gourab Majumdar(ほか著)
  • 1 パワーデバイスの世界
    • 1.1 パワーデバイスの定義
    • 1.2 電力変換の基礎
    • 1.3 電力増幅の基礎
    • 1.4 電力変換と電力増幅
  • 2 パワーデバイスの基礎
    • 2.1 パワーデバイスの種類
    • 2.2 パワーデバイスの性能
    • 2.3 半導体デバイスの基礎理論
  • 3 シリコンパワーデバイス
    • 3.1 電力変換デバイスの種類とその特徴
    • 3.2 ダイオード
    • 3.3 MOSFET
    • 3.4 IGBT
    • 3.5 パワーデバイスの新しい展開
  • 4 化合物パワーデバイス
    • 4.1 化合物半導体材料の特徴
    • 4.2 シリコンカーバイドデバイス
    • 4.3 窒化物パワーデバイス
  • 5 高周波パワーデバイス
    • 5.1 ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT)
    • 5.2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)