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目次

集積回路工学

集積回路工学 (電気電子工学シリーズ)

  • 浅野 種正(著)/ 岡田 龍雄(編集)/ 都甲 潔(編集)/ 二宮 保(編集)/ 宮尾 正信(編集)
  • 1.集積回路とトランジスタ
    • 1.1 個別素子と集積回路
    • 1.2 集積回路の分類
    • 1.3 ディジタル情報の伝達とトランジスタの役割
    • 1.4 CMOS
    • 1.5 アナログ集積回路におけるトランジスタの役割
    • 1.6 集積回路の必然性
    • 演習問題
  • 2.半導体の性質とダイオード
    • 2.1 半導体の電気伝導性
    • 2.2 自由電子と正孔
    • 2.3 エネルギーバンドによる表現
    • 2.4 n型半導体とp型半導体
    • 2.5 フェルミ準位とキャリヤ密度
    • 2.6 pn接合
    • 2.7 pn接合の機能と等価回路
    • 2.8 半導体素子の解析に用いる基本式
    • 演習問題
  • 3.MOSFETの動作原理
    • 3.1 MOSFETの構造
    • 3.2 MOSFETの動作原理
    • 3.3 エネルギーバンドによるチャネル形成の理解
    • 3.4 しきい電圧VT
    • 3.5 しきい電圧の制御−チャネルドーピング−
    • 3.6 MOSFETの電流−電圧特性
    • 3.7 トランジスタ設計の考え方
    • 3.8 MOSFETの分類
    • 3.9 素子間分離
    • 3.10 バイポーラトランジスタ
    • 演習問題
  • 4.CMOSの製造プロセス
    • 4.1 CMOSの製造プロセス
    • 4.2 集積回路設計の流れ
    • 演習問題
  • 5.MOSFETのモデリング
    • 5.1 電圧制御電流源
    • 5.2 MOSFETの小信号モデル
    • 5.3 小信号モデルの詳細
    • 5.4 伝達コンダクタンス
    • 5.5 ソース,ドレイン部分の抵抗
    • 5.6 実効チャネル長
    • 5.7 基板バイアス効果(ボディ効果)
    • 5.8 チャネル長変調効果
    • 5.9 ゲート入力容量CGS
    • 5.10 周波数特性
    • 演習問題
  • 6.CMOSインバータの特性
    • 6.1 伝達特性の求め方
    • 6.2 インバータの設計指針
    • 6.3 CMOSインバータの伝達特性
    • 6.4 スイッチング特性
    • 6.5 バッファ
    • 6.6 インバータ回路の消費電力
    • 6.7 スケーリング則
    • 6.8 ラッチアップ
    • 演習問題
  • 7.ディジタル論理回路
    • 7.1 NAND回路
    • 7.2 NOR回路
    • 7.3 排他的論理和EXOR回路
    • 7.4 多入力ゲート
    • 7.5 複合論理ゲート
    • 7.6 伝達ゲート
    • 7.7 Dラッチ回路とDフリップ・フロップ
    • 演習問題
  • 8.メモリー
    • 8.1 メモリーLSIの基本構成
    • 8.2 デコーダ回路
    • 8.3 メモリーLSIの分類
    • 8.4 SRAM
    • 8.5 DRAM
    • 8.6 フラッシュメモリー
    • 8.7 強誘電体メモリー(FeRAM)
    • 8.8 ROM
    • 演習問題
  • 9.アナログ集積回路
    • 9.1 基本的な増幅回路
    • 9.2 差動増幅回路
    • 9.3 電流ミラー回路
    • 9.4 演算増幅器(OPアンプ)
    • 9.5 温度補償の考え方
    • 9.6 アナログ回路素子
    • 演習問題
  • 10.アナログ−ディジタル変換
    • 10.1 A−D変換器
    • 10.2 D−A変換器
    • 演習問題
  • 11.イメージセンサー
    • 11.1 光電変換
    • 11.2 CCDイメージセンサー
    • 11.3 CMOSイメージセンサー
    • 演習問題

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