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	ブックオフ宅本便ページ修正(2017/11/22~12/31)

目次

図説電子デバイス 増補改訂版

図説電子デバイス 増補改訂版

  • 菅 博(共著)/ 川畑 敬志(共著)/ 矢野 満明(共著)/ 田中 誠(共著)
  • 1.半導体工学の基礎
    • 1.1 半導体とその種類
    • 1.2 量子力学の基礎
  • 2.固体中の電子のエネルギー準位と運動
    • 2.1 固体のエネルギー帯
    • 2.2 結晶中の電子の運動(自由電子近似)
  • 3.半導体中のキャリア密度とキャリアのふるまい
    • 3.1 半導体中のキャリア密度
    • 3.2 キャリア密度の温度依存性
    • 3.3 半導体中のキャリアのふるまい
  • 4.半導体中の電流
    • 4.1 ドリフト電流と拡散電流
    • 4.2 ドリフト電流
    • 4.3 拡散電流
    • 4.4 拡散方程式
  • 5.pn接合
    • 5.1 pn接合の性質
    • 5.2 pn接合の拡散電流と周波数特性
    • 5.3 pn接合の静電容量
  • 6.接合トランジスタ
    • 6.1 トランジスタの種類と原理
    • 6.2 接合トランジスタを流れる電流
    • 6.3 接合トランジスタの電流増幅率
    • 6.4 接合トランジスタの等価回路
  • 7.金属,半導体,絶縁物の接触
    • 7.1 表面バンド構造の形成
    • 7.2 金属−n形半導体接触
    • 7.3 金属−p形半導体接触
    • 7.4 金属−絶縁物−半導体構造
    • 7.5 半導体−半導体接合
  • 8.電界効果トランジスタ
    • 8.1 接合形電界効果トランジスタ(JFET)
    • 8.2 MOS形電界効果トランジスタ(MOS FET)
    • 8.3 FETの小信号等価回路
    • 8.4 MOS FETの各種接地方式
  • 9.集積回路
    • 9.1 集積回路の基礎
    • 9.2 各種IC(アナログICと論理IC)
    • 9.3 メモリIC(DRAM,SRAM,EPROM等)
    • 9.4 フラッシュメモリ
    • 9.5 強誘電体メモリ(FeRAM,FRAM,Fe−NANDフラッシュメモリ)
    • 9.6 SSD
  • 10.集積回路製造技術
    • 10.1 集積回路(IC)
    • 10.2 集積回路の製造工程
    • 10.3 エピタキシー工程
    • 10.4 酸化工程
    • 10.5 選択的ドーピング工程
    • 10.6 素子間の分離工程
    • 10.7 配線工程
    • 10.8 切断およびパッケージング工程
  • 11.光電素子
    • 11.1 光電効果
    • 11.2 光−電気変換素子(光センサ,太陽電池等)
    • 11.3 電気−光変換素子(エレクトロルミネセンス,半導体レーザ,発光ダイオード等)
  • 12.負性抵抗素子
    • 12.1 負性抵抗特性
    • 12.2 静的負性抵抗素子(エサキダイオード,SCR等)
    • 12.3 動的負性抵抗素子(IMPATTダイオード,ガンダイオード等)
    • 12.4 負性抵抗素子の応用
  • 13.その他の半導体素子
    • 13.1 ホール素子
    • 13.2 サーミスタ
    • 13.3 アモルファス太陽電池と多接合型太陽電池
    • 13.4 ブルーレイディスク
    • 13.5 薄膜トランジスタ(TFT)
    • 13.6 光電子移動度トランジスタ(HEMT)
    • 13.7 CCDとMOSイメージセンサ
    • 13.8 液晶と液晶ディスプレイ
    • 13.9 有機ELディスプレイ
    • 13.10 加速度センサ
    • 13.11 ICタグ
  • 参考図書
  • 演習問題解答
  • 付録
    • A.金属の電子論
    • B.pn接合のエネルギーバンドの描き方
    • C.MOS構造の理論
    • D.半導体製造技術
    • E.フラッシュメモリアレイの書込み,読出し,消去
    • F.数学公式
    • G.物理定数,単位の10の整数乗倍の接頭語,周期律表

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