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目次

半導体LSI技術

半導体LSI技術 (未来へつなぐデジタルシリーズ)

  • 牧野 博之(著)/ 益子 洋治(著)/ 山本 秀和(著)
  • 第1章 LSIとはなにか
    • 1.1 LSIとは
    • 1.2 LSIの歴史と発展
    • 1.3 スケーリング則
    • 1.4 LSIの分類
    • 1.5 LSIの利用分野
  • 第2章 半導体の物性
    • 2.1 半導体とは
    • 2.2 原子構造
    • 2.3 化学結合と結晶
    • 2.4 エネルギーバンド構造
    • 2.5 半導体中のキャリア
    • 2.6 半導体中の電気伝導
  • 第3章 半導体デバイス
    • 3.1 半導体デバイスとは
    • 3.2 pn接合とpn接合ダイオード
    • 3.3 バイポーラトランジスタ
    • 3.4 ショットキー接触とショットキーダイオード
    • 3.5 MOS構造とMOS型FET
  • 第4章 CMOSデジタル回路
    • 4.1 CMOSデジタル回路とは
    • 4.2 MOSトランジスタの構造と表記
    • 4.3 MOSトランジスタの電気特性
    • 4.4 CMOSインバータの動作
    • 4.5 CMOS論理ゲートの構成
  • 第5章 CMOS論理設計
    • 5.1 CMOS論理設計とは
    • 5.2 組合せ回路の設計
    • 5.3 順序回路の設計
  • 第6章 LSI設計フロー
    • 6.1 LSI設計フローとは
    • 6.2 LSI設計フローと各工程の内容
    • 6.3 セルライブラリ
    • 6.4 RTL設計
  • 第7章 レイアウト設計
    • 7.1 レイアウト設計とは
    • 7.2 レイアウトの基礎
    • 7.3 配置配線
    • 7.4 タイミング検証
  • 第8章 LSIの性能
    • 8.1 LSIの性能
    • 8.2 CMOS回路の動作速度
    • 8.3 CMOS回路の消費電力
  • 第9章 LSIの製造
    • 9.1 LSIの製造と産業について
    • 9.2 LSIデバイスの構造
    • 9.3 LSI製造の流れ
  • 第10章 シリコンウェーハ製造技術
    • 10.1 シリコンウェーハとは
    • 10.2 単結晶シリコン結晶育成
    • 10.3 ウェーハ加工
    • 10.4 シリコンウェーハの種類
    • 10.5 ウェーハ仕様
    • 10.6 ゲッタリング技術
  • 第11章 微細パターン形成技術
    • 11.1 フォトマスク作製技術
    • 11.2 リソグラフィ技術
    • 11.3 エッチング技術
    • 11.4 洗浄技術
  • 第12章 トランジスタ形成技術
    • 12.1 トランジスタの構造
    • 12.2 接合形成技術
    • 12.3 ゲート絶縁膜および成膜技術
    • 12.4 ゲート電極形成技術
  • 第13章 配線形成技術
    • 13.1 LSIにおける配線形成
    • 13.2 配線構造とデバイス性能
    • 13.3 配線形成プロセスとダマシンプロセス
    • 13.4 金属膜形成技術
    • 13.5 CMP技術
    • 13.6 層間絶縁膜と形成技術
  • 第14章 パッケージング技術
    • 14.1 実装とパッケージング技術について
    • 14.2 ウェーハからパッケージングまで
    • 14.3 パッケージの種類と進化
    • 14.4 マルチチップパッケージとSiPそして3次元実装へ
  • 第15章 計測・検査・評価技術とクリーン化技術
    • 15.1 LSIの製造における歩留り向上と製造管理
    • 15.2 クリーン化技術

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