目次
半導体ＬＳＩ技術 （未来へつなぐデジタルシリーズ）
- 牧野 博之（著）／ 益子 洋治（著）／ 山本 秀和（著）
- 第１章 ＬＳＩとはなにか
- １．１ ＬＳＩとは
- １．２ ＬＳＩの歴史と発展
- １．３ スケーリング則
- １．４ ＬＳＩの分類
- １．５ ＬＳＩの利用分野
- 第２章 半導体の物性
- ２．１ 半導体とは
- ２．２ 原子構造
- ２．３ 化学結合と結晶
- ２．４ エネルギーバンド構造
- ２．５ 半導体中のキャリア
- ２．６ 半導体中の電気伝導
- 第３章 半導体デバイス
- ３．１ 半導体デバイスとは
- ３．２ ｐｎ接合とｐｎ接合ダイオード
- ３．３ バイポーラトランジスタ
- ３．４ ショットキー接触とショットキーダイオード
- ３．５ ＭＯＳ構造とＭＯＳ型ＦＥＴ
- 第４章 ＣＭＯＳデジタル回路
- ４．１ ＣＭＯＳデジタル回路とは
- ４．２ ＭＯＳトランジスタの構造と表記
- ４．３ ＭＯＳトランジスタの電気特性
- ４．４ ＣＭＯＳインバータの動作
- ４．５ ＣＭＯＳ論理ゲートの構成
- 第５章 ＣＭＯＳ論理設計
- ５．１ ＣＭＯＳ論理設計とは
- ５．２ 組合せ回路の設計
- ５．３ 順序回路の設計
- 第６章 ＬＳＩ設計フロー
- ６．１ ＬＳＩ設計フローとは
- ６．２ ＬＳＩ設計フローと各工程の内容
- ６．３ セルライブラリ
- ６．４ ＲＴＬ設計
- 第７章 レイアウト設計
- ７．１ レイアウト設計とは
- ７．２ レイアウトの基礎
- ７．３ 配置配線
- ７．４ タイミング検証
- 第８章 ＬＳＩの性能
- ８．１ ＬＳＩの性能
- ８．２ ＣＭＯＳ回路の動作速度
- ８．３ ＣＭＯＳ回路の消費電力
- 第９章 ＬＳＩの製造
- ９．１ ＬＳＩの製造と産業について
- ９．２ ＬＳＩデバイスの構造
- ９．３ ＬＳＩ製造の流れ
- 第１０章 シリコンウェーハ製造技術
- １０．１ シリコンウェーハとは
- １０．２ 単結晶シリコン結晶育成
- １０．３ ウェーハ加工
- １０．４ シリコンウェーハの種類
- １０．５ ウェーハ仕様
- １０．６ ゲッタリング技術
- 第１１章 微細パターン形成技術
- １１．１ フォトマスク作製技術
- １１．２ リソグラフィ技術
- １１．３ エッチング技術
- １１．４ 洗浄技術
- 第１２章 トランジスタ形成技術
- １２．１ トランジスタの構造
- １２．２ 接合形成技術
- １２．３ ゲート絶縁膜および成膜技術
- １２．４ ゲート電極形成技術
- 第１３章 配線形成技術
- １３．１ ＬＳＩにおける配線形成
- １３．２ 配線構造とデバイス性能
- １３．３ 配線形成プロセスとダマシンプロセス
- １３．４ 金属膜形成技術
- １３．５ ＣＭＰ技術
- １３．６ 層間絶縁膜と形成技術
- 第１４章 パッケージング技術
- １４．１ 実装とパッケージング技術について
- １４．２ ウェーハからパッケージングまで
- １４．３ パッケージの種類と進化
- １４．４ マルチチップパッケージとＳｉＰそして３次元実装へ
- 第１５章 計測・検査・評価技術とクリーン化技術
- １５．１ ＬＳＩの製造における歩留り向上と製造管理
- １５．２ クリーン化技術
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