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目次

  • 1章 半導体結晶とエネルギー帯構造
    • 1・1 半導体結晶
    • 1・2 半導体のエネルギー帯構造とキャリヤの発生
    • 1・3 真性キャリヤ濃度
    • 1・4 ドーピング
    • 演習問題
  • 2章 半導体のキャリヤと電気伝導
    • 2・1 半導体中のキャリヤの運動
    • 2・2 キャリヤの拡散とドリフト
    • 2・3 キャリヤの生成と消滅
    • 2・4 半導体中の電気伝導を記述する基本方程式
    • 演習問題
  • 3章 pn接合の電流−電圧特性と接合容量
    • 3・1 pn接合の概要
    • 3・2 pn接合のエネルギー帯構造
    • 3・3 pn接合の直流特性
    • 3・4 pn接合の容量特性
    • 演習問題
  • 4章 金属と半導体の接合
    • 4・1 仕事関数
    • 4・2 ショットキー接合
    • 4・3 オーミック接合
    • 演習問題
  • 5章 バイポーラトランジスタの動作原理
    • 5・1 デバイス構造
    • 5・2 動作原理
    • 5・3 動作パラメータ
    • 5・4 バイポーラトランジスタ回路
    • 演習問題
  • 6章 金属−絶縁体−半導体(MIS)構造
    • 6・1 理想的なMOS構造における界面電荷応答の原理
    • 6・2 理想的なMOS構造における電気容量特性
    • 演習問題
  • 7章 MOSFETの動作原理
    • 7・1 MOSFETの動作と特徴−オン状態−
    • 7・2 MOSFETの動作と特徴−オフ状態−
    • 演習問題
  • 8章 MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
    • 8・1 MOSFETの微細化の目的とスケーリングの考え方
    • 8・2 高電界現象とホット・キャリヤによる特性劣化
    • 演習問題
  • 9章 化合物半導体デバイス
    • 9・1 化合物半導体の利用
    • 9・2 MESFET
    • 9・3 高電子移動度トランジスタ
    • 9・4 その他の化合物半導体デバイス
    • 演習問題
  • 10章 薄膜トランジスタ
    • 10・1 デバイス構造
    • 10・2 動作原理
    • 10・3 材料と作製方法
    • 演習問題
  • 11章 半導体の光学特性
    • 11・1 半導体と光の相互作用
    • 11・2 半導体の光吸収
    • 11・3 励起子による光吸収
    • 11・4 光導電性
    • 11・5 半導体の発光
    • 11・6 半導体量子井戸構造
    • 演習問題
  • 12章 受光デバイス
    • 12・1 光のエネルギー
    • 12・2 固体撮像素子
    • 12・3 太陽電池
    • 演習問題
  • 13章 発光デバイス
    • 13・1 直接遷移と間接遷移
    • 13・2 放出と吸収
    • 13・3 発光ダイオード
    • 13・4 半導体レーザ
    • 演習問題
  • 14章 電力制御半導体デバイス
    • 14・1 パワーデバイスとその特徴
    • 14・2 pinダイオード
    • 14・3 パワーMOSFET
    • 14・4 IGBT
    • 14・5 ワイド・バンドギャップ・パワーデバイス
    • 演習問題
  • 15章 これからの半導体デバイス
    • 15・1 集積回路の課題と解決に向けた動向
    • 15・2 新しい材料,動作原理を用いたデバイス
    • 15・3 半導体デバイスの今後の発展
    • 演習問題

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