１章半導体結晶とエネルギー帯構造
- １・１半導体結晶
- １・２半導体のエネルギー帯構造とキャリヤの発生
- １・３真性キャリヤ濃度
- １・４ドーピング
- 演習問題
２章半導体のキャリヤと電気伝導
- ２・１半導体中のキャリヤの運動
- ２・２キャリヤの拡散とドリフト
- ２・３キャリヤの生成と消滅
- ２・４半導体中の電気伝導を記述する基本方程式
- 演習問題
３章ｐｎ接合の電流−電圧特性と接合容量
- ３・１ｐｎ接合の概要
- ３・２ｐｎ接合のエネルギー帯構造
- ３・３ｐｎ接合の直流特性
- ３・４ｐｎ接合の容量特性
- 演習問題
４章金属と半導体の接合
- ４・１仕事関数
- ４・２ショットキー接合
- ４・３オーミック接合
- 演習問題
５章バイポーラトランジスタの動作原理
- ５・１デバイス構造
- ５・２動作原理
- ５・３動作パラメータ
- ５・４バイポーラトランジスタ回路
- 演習問題
６章金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）構造
- ６・１理想的なＭＯＳ構造における界面電荷応答の原理
- ６・２理想的なＭＯＳ構造における電気容量特性
- 演習問題
７章ＭＯＳＦＥＴの動作原理
- ７・１ＭＯＳＦＥＴの動作と特徴−オン状態−
- ７・２ＭＯＳＦＥＴの動作と特徴−オフ状態−
- 演習問題
８章ＭＯＳＦＥＴの微細化の歴史と集積回路の発展
- ８・１ＭＯＳＦＥＴの微細化の目的とスケーリングの考え方
- ８・２高電界現象とホット・キャリヤによる特性劣化
- 演習問題
９章化合物半導体デバイス
- ９・１化合物半導体の利用
- ９・２ＭＥＳＦＥＴ
- ９・３高電子移動度トランジスタ
- ９・４その他の化合物半導体デバイス
- 演習問題
１０章薄膜トランジスタ
- １０・１デバイス構造
- １０・２動作原理
- １０・３材料と作製方法
- 演習問題
１１章半導体の光学特性
- １１・１半導体と光の相互作用
- １１・２半導体の光吸収
- １１・３励起子による光吸収
- １１・４光導電性
- １１・５半導体の発光
- １１・６半導体量子井戸構造
- 演習問題
１２章受光デバイス
- １２・１光のエネルギー
- １２・２固体撮像素子
- １２・３太陽電池
- 演習問題
１３章発光デバイス
- １３・１直接遷移と間接遷移
- １３・２放出と吸収
- １３・３発光ダイオード
- １３・４半導体レーザ
- 演習問題
１４章電力制御半導体デバイス
- １４・１パワーデバイスとその特徴
- １４・２ｐｉｎダイオード
- １４・３パワーＭＯＳＦＥＴ
- １４・４ＩＧＢＴ
- １４・５ワイド・バンドギャップ・パワーデバイス
- 演習問題
１５章これからの半導体デバイス
- １５・１集積回路の課題と解決に向けた動向
- １５・２新しい材料，動作原理を用いたデバイス
- １５・３半導体デバイスの今後の発展
- 演習問題