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目次

  • 1.ドレスト光子とは何か
    • 1.1 従来の光との比較
    • 1.2 ドレスト光子の関与する相互作用
    • 1.3 ナノ物質の間のエネルギー移動
    • 1.4 さらなる結合がもたらす新しい現象
  • 2.ドレスト光子の描像
    • 2.1 物質エネルギーの衣をまとった仮想光子
    • 2.2 ドレスト光子の空間的広がり
  • 3.ドレスト光子によるエネルギー移動と緩和
    • 3.1 二つのエネルギー準位に起因する結合状態
    • 3.2 ドレスト光子デバイスの概念
  • 4.ドレスト光子とフォノンとの結合
    • 4.1 分子の解離現象と新しい理論モデルの必要性
    • 4.2 ハミルトニアンの変換
    • 4.3 ドレスト光子の停留の機構
    • 4.4 ドレスト光子フォノンが関与する光の吸収と放出
  • 5.ドレスト光子によるデバイス
    • 5.1 ドレスト光子デバイスの構成と機能
    • 5.2 ドレスト光子デバイスの性質
  • 6.ドレスト光子による加工
    • 6.1 ドレスト光子フォノンによる分子解離
    • 6.2 ドレスト光子フォノンによるリソグラフィ
    • 6.3 ドレスト光子フォノンの自律的な消滅過程を用いた微細加工
  • 7.ドレスト光子によるエネルギー変換
    • 7.1 光エネルギーから光エネルギーへの変換
    • 7.2 光エネルギーから電気エネルギーへの変換
    • 7.3 電気エネルギーから光エネルギーへの変換
  • 8.ドレスト光子の空間的広がりと数理科学的取り扱い
    • 8.1 階層性
    • 8.2 電気四重極子から電気双極子への変換
    • 8.3 プローブなどの不要な技術
    • 8.4 数理科学モデル
  • 9.まとめと展望
    • 9.1 まとめ
    • 9.2 今後の展望
  • A.多重極ハミルトニアン
  • B.素励起モードと励起子ポラリトン
  • C.射影演算子と有効相互作用演算子
    • C.1 射影演算子
    • C.2 有効相互作用演算子
    • C.3 近似的な表式
    • C.4 第2章の(2.30)の導出
  • D.光子の基底からポラリトンの基底への変換
  • E.寸法依存共鳴の式の導出
  • F.半導体量子ドットのエネルギー状態
    • F.1 一粒子状態
    • F.2 量子ドット中の電子・正孔対の状態
    • F.3 電気双極子禁制遷移
  • G.密度行列演算子の量子マスター方程式の解
    • G.1 二つの量子ドットの場合
    • G.2 三つの量子ドットからなるXOR論理ゲートの場合
    • G.3 三つの量子ドットからなるAND論理ゲートの場合
  • H.第4章中の式の導出
    • H.1 ユニタリ変換
    • H.2 コヒーレント状態
    • H.3 コヒーレント状態の時間発展
    • H.4 DPとフォノンが相互作用していない場合のハミルトニアンの対角化
    • H.5 原子の変位の期待値

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