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目次

電子デバイス

電子デバイス (電子情報通信レクチャーシリーズ)

  • 和保 孝夫(著)/ 電子情報通信学会(編)
  • 1.序論
    • 1.1 対象とする電子デバイス
    • 1.2 本書の構成
    • 1.3 学習の指針
  • 2.モデルデバイス
    • 2.1 モデルデバイスの動作
    • 2.2 ディジタル回路への応用
    • 2.3 アナログ回路への応用
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 3.半導体におけるキャリヤの挙動
    • 3.1 物質の電気伝導度
    • 3.2 結晶構造とエネルギーバンド
    • 談話室 ダイヤモンド構造
    • 3.3 電流の担い手:キャリヤ
    • 談話室 Geと化合物半導体
    • 3.4 フェルミ準位とキャリヤ濃度
    • 3.5 キャリヤの輸送現象
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 4.pn接合
    • 4.1 pn接合のバンド図
    • 4.2 pn接合の電流電圧特性
    • 4.3 小信号等価回路
    • 4.4 pn接合に関わる諸現象
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 5.MOSFET
    • 5.1 素子構造と動作原理
    • 談話室 トランジスタの語源
    • 5.2 MOS構造とMS構造
    • 5.3 電流電圧特性
    • 5.4 等価回路と高速化の指針
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 6.BJT
    • 6.1 素子構造と基本動作
    • 6.2 電流電圧特性
    • 談話室 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    • 6.3 小信号等価回路
    • 6.4 MOSFETとの比較
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 7.CMOS論理回路
    • 7.1 CMOSインバータ
    • 7.2 消費電力と動作速度
    • 7.3 論理回路の構成
    • 7.4 スケール則
    • 談話室 リング発振器
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 8.メモリ
    • 8.1 メモリの基本構成
    • 8.2 ROM
    • 8.3 RAM
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 9.まとめと今後の展望
    • 9.1 電子デバイスをめぐる大きな流れ
    • 9.2 トランジスタから集積回路へ

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