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目次

  • 1 半導体・電子材料の分析
    • 1.1 半導体・電子材料分野で用いられる分析法
    • 1.2 半導体・電子材料分野における定量的な分析・計測と標準
  • 2 誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS)
    • 2.1 ICP−MSの概要
    • 2.2 ICP−MSの原理
    • 2.3 微量金属分析における留意点
    • 2.4 半導体関連材料の分析例
    • 参考文献
  • 3 誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)
    • 3.1 ICP−AESの概要
    • 3.2 ICP−AESの原理
    • 3.3 ICP−AESの応用
    • 参考文献
  • 4 二次イオン質量分析(SIMS)
    • 4.1 SIMSの概要
    • 4.2 SIMSの原理
    • 4.3 SIMSの応用
    • 参考文献
  • 5 蛍光X線分析(XRF)
    • 5.1 XRFの概要
    • 5.2 XRFによる膜厚・組成分析
    • 5.3 全反射蛍光X線分析(TXRF)
    • 参考文献
  • 6 三次元アトムプローブ(APT)
    • 6.1 APTの概要
    • 6.2 APTの原理
    • 6.3 局所電極型アトムプローブ
    • 6.4 試料作製方法
    • 6.5 APTの応用例
    • 6.6 おわりに
    • 参考文献
  • 7 走査電子顕微鏡(SEM)
    • 7.1 SEMの概要
    • 7.2 SEMの原理
    • 参考文献
  • 8 測長走査電子顕微鏡(測長SEM)
    • 8.1 測長SEMの概要
    • 8.2 測長SEMの原理
    • 8.3 測長SEMの応用
    • 8.4 各種基板への対応(マスク・磁気ヘッド)
    • 参考文献
  • 9 透過電子顕微鏡(TEM)
    • 9.1 TEMの概要
    • 9.2 TEMの構造と原理
    • 9.3 STEMの原理
    • 9.4 微小領域分析手法
    • 9.5 TEM/STEMの応用
    • 参考文献
  • 10 走査プローブ顕微鏡(SPM)
    • 10.1 SPMの概要
    • 10.2 半導体断面における不純物キャリヤー濃度二次元分布評価技術
    • 10.3 SSRMによる断面におけるキャリヤー分布評価手法
    • 10.4 SCM法と半導体微小領域のキャリヤー濃度分析への応用
    • 参考文献
  • 11 ラザフォード後方散乱分析(RBS)と弾性反跳検出分析(ERDA)
    • 11.1 RBSとERDAの概要
    • 11.2 RBSとERDAの原理
    • 11.3 RBSとERDAの応用
    • 11.4 HRBS/HERDAの概要
    • 11.5 HRBS/HERDAの原理
    • 11.6 HRBS/HERDAの応用
    • 参考文献
  • 12 X線反射率
    • 12.1 X線反射率の概要
    • 12.2 X線反射率の原理
    • 12.3 X線反射率データの解析
    • 12.4 測定装置と測定方法
    • 12.5 X線反射率の応用
    • 参考文献
  • 13 陽電子消滅
    • 13.1 陽電子消滅の概要
    • 13.2 陽電子消滅の原理
    • 13.3 陽電子消滅の応用
    • 参考文献
  • 14 オージェ電子分光法(AES)とX線光電子分光法(XPS)
    • 14.1 AESとXPSの概要
    • 14.2 AESとXPSの原理と比較
    • 14.3 AESとXPSの応用
    • 14.4 まとめ
    • 参考文献

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