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目次

半導体の光物性

半導体の光物性

  • 中山 正昭(著)
  • 1.半導体の基礎物性
    • 1.1 結晶構造
    • 1.2 フォノン
    • 1.3 バンド構造
    • 1.4 励起子
    • 1.5 量子井戸構造と超格子
  • 2.光物性の基礎理論
    • 2.1 光物性の電磁波論
    • 2.2 バンド間遷移の量子論
    • 2.3 励起子遷移の量子論
    • 2.4 不純物が関与する光学遷移の量子論
    • 2.5 再結合発光速度と吸収係数の関係
    • 2.6 オージェ再結合
  • 3.励起子の光学応答
    • 3.1 励起子による吸収と反射
    • 3.2 励起子発光
    • 3.3 励起子分子光学応答
    • 3.4 励起子非弾性散乱過程による発光
    • 3.5 薄膜における励起子重心運動の量子化と光学応答
    • 3.6 励起子状態に対する格子ひずみ効果
  • 4.電子・正孔プラズマの光学応答
    • 4.1 多体効果の基礎理論
    • 4.2 電子・正孔プラズマによる光学利得の理論
    • 4.3 電子・正孔プラズマの発光スペクトルと光学利得スペクトル
    • 4.4 電子・正孔液体(液滴)の発光スペクトル
  • 5.ラマン散乱
    • 5.1 ラマン散乱の基礎理論
    • 5.2 ラマンテンソルとラマン散乱選択則
    • 5.3 ラマン散乱の動的構造因子と空間の有限サイズ効果
    • 5.4 LOフォノン−プラズモン結合モード
    • 5.5 格子ひずみ効果
  • 6.量子井戸構造・超格子の光物性
    • 6.1 量子井戸構造におけるサブバンド構造の理論
    • 6.2 量子井戸構造における励起子状態の理論
    • 6.3 量子井戸構造における光学遷移の量子論
    • 6.4 量子井戸構造における励起子光学応答
    • 6.5 量子井戸構造におけるサブバンド間遷移とそのデバイス応用
    • 6.6 超格子のミニバンド構造と有効質量
    • 6.7 超格子におけるワニエ・シュタルク局在とブロッホ振動
    • 6.8 GaAs/AlAsタイプⅡ超格子における励起子光学応答
    • 6.9 超格子におけるフォノンとラマン散乱

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