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目次

朝倉電気電子工学大系 5 結晶成長

朝倉電気電子工学大系 5 結晶成長

  • 桂井 誠(編集委員)/ 仁田 旦三(編集委員)/ 原 雅則(編集委員)/ 関根 慶太郎(編集委員)/ 塚本 修巳(編集委員)/ 大西 公平(編集委員)/ 西永 頌(著)
  • 1 結晶成長と現代社会
    • 1.1 結晶成長はどのように役に立ってきたか
    • 1.2 学問としての結晶成長
  • 2 結晶成長を理解するための準備
    • 2.1 熱・統計力学の初歩
    • 2.2 結晶とは何か
  • 3 結晶の表面
    • 3.1 結晶の表面エネルギーと平衡時における結晶の外形
    • 3.2 平らな面と荒れた面
  • 4 核形成
    • 4.1 核形成の考え方
    • 4.2 核形成の熱力学
    • 4.3 臨界核
    • 4.4 核形成速度
    • 4.5 核生成のモンテカルロシミュレーション
    • 4.6 実験による核形成の観察
  • 5 表面拡散と結晶成長
    • 5.1 らせん転位と結晶成長
    • 5.2 らせん転位による成長のモンテカルロシミュレーション
    • 5.3 分子線エピタキシにおける表面拡散
    • 5.4 有機金属気相成長法における表面拡散
  • 6 成長形態の安定性
    • 6.1 成長表面の安定性に関する古典論
    • 6.2 摂動法を用いた成長表面の安定・不安定解析−Mullins−Sekerka理論
  • 7 巨大ステップ
    • 7.1 巨大ステップとは何か
    • 7.2 巨大ステップの形成メカニズム
    • 7.3 巨大ステップの理論的解析
    • 7.4 巨大ステップの界面濃度分布と過飽和度分布
    • 7.5 巨大ステップと不純物分布
    • 7.6 巨大ステップと宇宙実験
    • 7.7 シリコン融液成長における巨大ステップの形成
  • 8 結晶面間の表面拡散
    • 8.1 結晶成長によるマイクロ・ナノ構造
    • 8.2 面間拡散と結晶に取り込まれるまでの拡散距離
    • 8.3 面間拡散方向の逆転現象
    • 8.4 面間拡散を利用したマイクロ・ナノ構造の制御
    • 8.5 形態制御の理論解析
  • 9 偏析
    • 9.1 平衡偏析
    • 9.2 平衡偏析が行われている場合の成長結晶内の不純物分布
    • 9.3 非平衡偏析
  • 10 マイクロチャネルエピタキシ
    • 10.1 マイクロチャネルエピタキシの考え方
    • 10.2 マイクロチャネルエピタキシの発想の原点
    • 10.3 水平マイクロチャネルエピタキシ
    • 10.4 垂直マイクロチャネルエピタキシ
  • 11 宇宙における結晶成長
    • 11.1 微小重力とは何か
    • 11.2 微小重力実験の意味
    • 11.3 半導体の微小重力実験
    • 11.4 宇宙実験の今後
  • 付録
    • A 平衡形と成長形
    • B Zeldovich因子