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目次

半導体工学 第2版 新版

半導体工学 第2版 新版

  • 松波 弘之(著)
  • 1 固体物理の基礎
    • 1.1 原子構造
    • 1.2 結晶と化学結合
    • 1.3 結晶の不完全性
    • 1.4 格子振動
    • 1.5 エネルギー帯構造
    • 1.6 フェルミ・ディラック統計
    • 演習問題
  • 2 半導体の基礎的性質
    • 2.1 真性半導体
    • 2.2 外因形半導体
    • 2.3 多数キャリヤと少数キャリヤ
    • 2.4 キャリヤ密度
    • 2.5 フェルミ準位
    • 2.6 半導体の電気伝導
    • 2.7 キャリヤの生成・消滅
    • 2.8 キャリヤの生成・消滅があるときの電流
    • 2.9 半導体内の空間電荷
    • 演習問題
  • 3 半導体の諸性質
    • 3.1 磁電的性質
    • 3.2 熱電的性質
    • 3.3 光学的性質
    • 3.4 光電的性質
    • 3.5 発光現象
    • 3.6 高電界効果
    • 演習問題
  • 4 接合ならびに界面の現象
    • 4.1 金属と半導体の接触
    • 4.2 ショットキー障壁の解析
    • 4.3 pn接合の理論
    • 4.4 薄いpn接合
    • 4.5 pn接合の破壊現象
    • 4.6 ヘテロ接合
    • 4.7 MIS構造
    • 演習問題
  • 5 半導体材料と処理技術
    • 5.1 半導体材料
    • 5.2 半導体材料の精製
    • 5.3 単結晶製作法
    • 5.4 半導体加工技術
    • 演習問題
  • 6 ダイオード
    • 6.1 直流特性
    • 6.2 交流特性
    • 6.3 スイッチ特性,過渡特性
    • 6.4 雑音
    • 6.5 各種の接合ダイオード
    • 演習問題
  • 7 バイポーラ・トランジスタ
    • 7.1 構造と特性
    • 7.2 直流動作特性
    • 7.3 交流動作特性
    • 7.4 ベース領域における諸現象
    • 7.5 コレクタ接合の及ぼす効果
    • 7.6 各種のバイポーラ・トランジスタ
    • 演習問題
  • 8 電界効果トランジスタ
    • 8.1 MOS電界効果トランジスタ
    • 8.2 接合形電界効果トランジスタ
    • 8.3 ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタ
    • 8.4 静電誘導トランジスタ
    • 演習問題
  • 9 集積回路
    • 9.1 集積回路
    • 9.2 バイポーラ集積回路
    • 9.3 MOS集積回路
    • 9.4 メモリ用集積回路
    • 9.5 電荷転送素子
    • 演習問題
  • 10 半導体ホトニクス
    • 10.1 太陽電池
    • 10.2 光検出素子
    • 10.3 発光ダイオード
    • 10.4 半導体レーザ
    • 演習問題
  • 11 パワーエレクトロニクス
    • 11.1 整流ダイオード
    • 11.2 パワートランジスタ
    • 11.3 サイリスタ
    • 11.4 ゲートターンオフサイリスタ
    • 演習問題
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