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目次

集積回路設計

集積回路設計 (電子情報通信レクチャーシリーズ)

  • 浅田 邦博(著)/ 電子情報通信学会(編)
  • 1.MOSFET
    • 1.1 MOS構造
    • 1.2 MOSFETと動作のあらまし
    • 1.3 MOSFETの電圧電流特性
    • 1.4 MOSFETの電圧電流特性の2次近似式
    • 1.5 垂直電界効果
    • 1.6 チャネル長変調効果
    • 1.7 サブスレショルド電流
    • 本章のまとめ
  • 2.CMOSインバータ
    • 2.1 CMOSインバータ回路
    • 2.2 CMOSインバータの論理しきい値
    • 2.3 CMOSインバータの遅延時間
    • 2.4 nFET・pFETの対称性
    • 2.5 CMOSインバータ型ゲートの遅延時間の目安
    • 2.6 インバータによる大容量負荷の駆動
    • 2.7 CMOSインバータの消費電力
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 3.線形回路の遅延モデル
    • 3.1 エルモアの遅延モデル
    • 3.2 ルビンシュタインの方法
    • 3.3 インバータ型ゲートのマクロモデル
    • 3.4 論理回路の遅延
    • 3.5 長い配線の駆動
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 4.LSI製造プロセス
    • 4.1 シリコンウェーハの製造フロー
    • 4.2 LSI製造フローの概要
    • 4.3 リソグラフィー
    • 4.4 CMOSの製造フロー
    • 4.5 その他のCMOS構造
    • 4.6 チップの組立て
    • 4.7 LSIのテスト
    • 本章のまとめ
  • 5.設計規則
    • 5.1 物理マスクと論理マスク
    • 5.2 λルール
    • 5.3 基板コンタクト
    • 5.4 ラッチアップ
    • 5.5 電気的パラメータ
    • 5.6 エレクトロマイグレーション
    • 5.7 入出力回路
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 6.CMOSの基本ゲート回路
    • 6.1 論理関数の種類
    • 6.2 FETのスイッチモデル
    • 6.3 NAND・NORゲート回路
    • 6.4 インバータ型複合ゲート回路
    • 6.5 グラフによる双対回路の導出
    • 6.6 一般の複合ゲート
    • 6.7 パストランジスタ型ゲート回路
    • 6.8 3状態ゲート回路
    • 6.9 ダイナミック型ゲート回路
    • 6.10 一般化CMOSゲート回路
    • 6.11 2線式論理ゲート
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 7.記憶回路
    • 7.1 記憶回路の基礎
    • 7.2 フリップフロップ
    • 7.3 大容量メモリ
    • 7.4 ROMのメモリセル回路
    • 7.5 SRAMのメモリセル
    • 7.6 DRAMのメモリセル
    • 7.7 不揮発性RAM
    • 7.8 CAM
    • 7.9 PLA
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 8.情報処理用LSIの基本要素
    • 8.1 データパスとコントローラ
    • 8.2 有限状態機械としてのコントローラ
    • 8.3 並列加算器
    • 8.4 並列乗算器
    • 8.5 シフト演算
    • 8.6 レジスタ
    • 8.7 バス方式
    • 8.8 カウンタ
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認
  • 9.LSI設計の様式
    • 9.1 LSIの設計階層とカスタム設計
    • 9.2 階層設計と記述言語
    • 9.3 設計検証
    • 9.4 フロアプラン
    • 9.5 セルベース設計様式
    • 9.6 タイル法による設計様式
    • 9.7 マスクパターンの検証
    • 9.8 LSIの製造後設計検証
    • 本章のまとめ
    • 理解度の確認

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