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目次

エッセンシャル応用物性論

エッセンシャル応用物性論

  • 荻野 俊郎(著)
  • 1.はじめに
  • 2.原子を結び付ける力
    • 2.1 水素原子の電子のエネルギー準位
    • 2.2 一般の原子内電子のエネルギー準位
    • 2.3 原子間にはたらく引力と斥力
    • 2.4 ファンデルワールス力と分子結晶
    • 2.5 イオン結合とイオン結晶
    • 2.6 共有結合と共有結合結晶
    • 2.7 金属結合
    • 2.8 水素結合
    • 2.9 凝集力と固体の性質
  • 3.固体の原子構造
    • 3.1 結晶
    • 3.2 結晶格子
    • 3.3 結晶の面と方位
    • 3.4 代表的な物質の結晶構造
    • 3.5 結晶欠陥
    • 3.6 結晶構造解析
    • 3.7 結晶表面の原子構造
    • 3.8 結晶成長
  • 4.格子振動と格子比熱
    • 4.1 連続媒質中の弾性波
    • 4.2 結晶の格子振動
    • 4.3 格子振動の量子化と観測
    • 4.4 固体の比熱
  • 5.金属の伝導現象
    • 5.1 金属内電子と金属の性質
    • 5.2 金属内電子伝導の古典論
    • 5.3 金属内に閉じ込められた電子の量子力学的扱い
    • 5.4 金属の電気伝導の量子力学的扱い
    • 5.5 仕事関数と電子放出
  • 6.固体のエネルギーバンド理論
    • 6.1 結合力によるエネルギーバンドの発生
    • 6.2 周期構造によるエネルギーバンドの発生
    • 6.3 固体内電子のバンド構造
    • 6.4 結晶内電子の運動と有効質量
    • 6.5 金属・半導体・絶縁体
  • 7.半導体の導電現象
    • 7.1 半導体概論
    • 7.2 半導体の伝導型と導電率
    • 7.3 半導体内のキャリア密度
    • 7.4 キャリア移動度
    • 7.5 キャリア密度と移動度の測定方法−ホール効果
    • 7.6 半導体内の電気伝導
    • 7.7 過剰少数キャリアの生成と消滅および連続の式
  • 8.半導体の接合論
    • 8.1 pn接合形成の定性的過程
    • 8.2 pn接合形成の定量的解析
    • 8.3 pn接合の印加電圧に対する応答
    • 8.4 ヘテロ接合
    • 8.5 ショットキ接合
  • 9.半導体デバイス
    • 9.1 金属−絶縁体−半導体接合
    • 9.2 MOSFET
    • 9.3 バイポーラトランジスタ
    • 9.4 化合物半導体デバイス
    • 9.5 その他の半導体デバイス
  • 10.物質の誘電的性質と絶縁体の導電現象
    • 10.1 分極
    • 10.2 分極と誘電率
    • 10.3 強誘電体
    • 10.4 誘電体内の導電現象
    • 10.5 ピエゾ効果
  • 11.物質の光学的性質
    • 11.1 物質の光学的性質の概論
    • 11.2 物質の電磁波に対する応答
    • 11.3 格子振動と光の相互作用
    • 11.4 半導体と絶縁体の光学的性質
    • 11.5 半導体光デバイス
  • 12.磁気物性と超伝導
    • 12.1 原子の磁気モーメントと磁化率
    • 12.2 磁性の源−電子の軌道角運動量とスピンによる磁化
    • 12.3 物質の磁性
    • 12.4 磁気抵抗効果
    • 12.5 超伝導
  • 13.ナノテクノロジー
    • 13.1 量子効果
    • 13.2 トンネル効果
    • 13.3 ボトムアップのナノテクノロジー
  • A.付録
    • A.1 原子内電子のエネルギー準位の量子力学的扱い
    • A.2 固体比熱理論におけるデバイ関数の導出
    • A.3 広範囲ホッピング伝導の導電率の算出
    • A.4 トンネル確率の計算

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