目次
シリコン半導体 その物性とデバイスの基礎 （物質・材料テキストシリーズ）
- 白木 靖寛（著）／ 藤原 毅夫（監修）／ 藤森 淳（監修）／ 勝藤 拓郎（監修）
- 第１章 はじめに
- １−１ 情報化社会と半導体
- １−２ 半導体産業とノーベル賞
- １−３ 半導体とその種類
- １−４ 半導体デバイスの種類
- 第２章 シリコン原子
- ２−１ シリコン元素
- ２−２ 原子の量子論
- 第３章 固体シリコン
- ３−１ 混成軌道と結合
- ３−２ 固体シリコンの形態
- 第４章 シリコンの結晶構造
- ４−１ ダイヤモンド構造
- ４−２ 結晶面と結晶軸
- ４−３ 格子欠陥
- ４−４ 格子振動
- 第５章 半導体のエネルギー帯構造
- ５−１ 絶縁体と金属および半導体
- ５−２ 不純物半導体
- ５−３ 自由電子模型と有効質量
- 第６章 状態密度とキャリア分布
- ６−１ 状態密度
- ６−２ フェルミ分布
- ６−３ キャリア分布と温度依存性
- 第７章 電気伝導
- ７−１ 電気伝導度と移動度
- ７−２ キャリアの散乱機構
- ７−３ 拡散電流とアインシュタインの関係式
- ７−４ 飽和速度
- ７−５ 空間電荷とポアソンの方程式
- ７−６ ホール効果
- ７−７ 磁気抵抗効果
- ７−８ 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの電気伝導
- ７−９ キャリアの再結合
- 第８章 シリコン結晶作製とドーピング
- ８−１ シリコン単結晶の作製方法
- ８−２ エピタキシャル成長
- ８−３ 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの作製方法
- ８−４ 結晶成長機構
- ８−５ ＳＯＩ基板の作製
- ８−６ 不純物のドーピング
- 第９章 ｐｎ接合とショットキー接合
- ９−１ ｐｎ接合
- ９−２ ショットキー接合
- 第１０章 ヘテロ構造
- １０−１ ヘテロ接合の種類
- １０−２ 量子井戸と超格子
- １０−３ シリコンゲルマニウムヘテロ構造
- 第１１章 ＭＯＳ構造
- １１−１ ＭＯＳ構造の形成とエネルギー帯構造
- １１−２ ＭＯＳ構造のバイアス依存性
- １１−３ 表面ポテンシャルとＭＯＳ容量
- １１−４ 表面準位と界面準位
- 第１２章 ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
- １２−１ ＭＯＳトランジスタの構造と動作原理
- １２−２ ＭＯＳＦＥＴの電流−電圧特性
- １２−３ ＭＯＳＦＥＴの周波数特性とスイッチング速度
- １２−４ ＭＥＳＦＥＴとＨＥＭＴ
- １２−５ ２次元電子ガスと量子化
- １２−６ ＭＯＳＦＥＴの移動度
- 第１３章 バイポーラトランジスタ
- １３−１ バイポーラトランジスタの構造と動作原理
- １３−２ バイポーラトランジスタの電流−電圧特性
- １３−３ バイポーラトランジスタの高速性
- １３−４ ヘテロバイポーラトランジスタ
- 第１４章 集積回路（ＬＳＩ）
- １４−１ 集積回路の種類
- １４−２ メモリＬＳＩ
- １４−３ ロジックＬＳＩ
- １４−４ ＭＯＳＦＥＴのスケーリング則
- １４−５ シリコンＬＳＩの製造工程
- 第１５章 シリコンパワーデバイス
- １５−１ ｐｎｐｎ構造（サイリスタ）
- １５−２ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
- 第１６章 シリコンフォトニクス
- １６−１ 光の吸収と発光
- １６−２ 直接遷移型と間接遷移型
- １６−３ シリコンの光吸収と発光
- １６−４ 受光デバイス
- １６−５ 光回路素子
- 第１７章 シリコン薄膜デバイス
- １７−１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
- １７−２ 薄膜太陽電池
電子工学・半導体 ランキング
電子工学・半導体のランキングをご紹介します電子工学・半導体 ランキング一覧を見る
