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目次

シリコン半導体 その物性とデバイスの基礎

シリコン半導体 その物性とデバイスの基礎 (物質・材料テキストシリーズ)

  • 白木 靖寛(著)/ 藤原 毅夫(監修)/ 藤森 淳(監修)/ 勝藤 拓郎(監修)
  • 第1章 はじめに
    • 1−1 情報化社会と半導体
    • 1−2 半導体産業とノーベル賞
    • 1−3 半導体とその種類
    • 1−4 半導体デバイスの種類
  • 第2章 シリコン原子
    • 2−1 シリコン元素
    • 2−2 原子の量子論
  • 第3章 固体シリコン
    • 3−1 混成軌道と結合
    • 3−2 固体シリコンの形態
  • 第4章 シリコンの結晶構造
    • 4−1 ダイヤモンド構造
    • 4−2 結晶面と結晶軸
    • 4−3 格子欠陥
    • 4−4 格子振動
  • 第5章 半導体のエネルギー帯構造
    • 5−1 絶縁体と金属および半導体
    • 5−2 不純物半導体
    • 5−3 自由電子模型と有効質量
  • 第6章 状態密度とキャリア分布
    • 6−1 状態密度
    • 6−2 フェルミ分布
    • 6−3 キャリア分布と温度依存性
  • 第7章 電気伝導
    • 7−1 電気伝導度と移動度
    • 7−2 キャリアの散乱機構
    • 7−3 拡散電流とアインシュタインの関係式
    • 7−4 飽和速度
    • 7−5 空間電荷とポアソンの方程式
    • 7−6 ホール効果
    • 7−7 磁気抵抗効果
    • 7−8 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの電気伝導
    • 7−9 キャリアの再結合
  • 第8章 シリコン結晶作製とドーピング
    • 8−1 シリコン単結晶の作製方法
    • 8−2 エピタキシャル成長
    • 8−3 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの作製方法
    • 8−4 結晶成長機構
    • 8−5 SOI基板の作製
    • 8−6 不純物のドーピング
  • 第9章 pn接合とショットキー接合
    • 9−1 pn接合
    • 9−2 ショットキー接合
  • 第10章 ヘテロ構造
    • 10−1 ヘテロ接合の種類
    • 10−2 量子井戸と超格子
    • 10−3 シリコンゲルマニウムヘテロ構造
  • 第11章 MOS構造
    • 11−1 MOS構造の形成とエネルギー帯構造
    • 11−2 MOS構造のバイアス依存性
    • 11−3 表面ポテンシャルとMOS容量
    • 11−4 表面準位と界面準位
  • 第12章 MOSトランジスタ(MOSFET)
    • 12−1 MOSトランジスタの構造と動作原理
    • 12−2 MOSFETの電流−電圧特性
    • 12−3 MOSFETの周波数特性とスイッチング速度
    • 12−4 MESFETとHEMT
    • 12−5 2次元電子ガスと量子化
    • 12−6 MOSFETの移動度
  • 第13章 バイポーラトランジスタ
    • 13−1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理
    • 13−2 バイポーラトランジスタの電流−電圧特性
    • 13−3 バイポーラトランジスタの高速性
    • 13−4 ヘテロバイポーラトランジスタ
  • 第14章 集積回路(LSI)
    • 14−1 集積回路の種類
    • 14−2 メモリLSI
    • 14−3 ロジックLSI
    • 14−4 MOSFETのスケーリング則
    • 14−5 シリコンLSIの製造工程
  • 第15章 シリコンパワーデバイス
    • 15−1 pnpn構造(サイリスタ)
    • 15−2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
  • 第16章 シリコンフォトニクス
    • 16−1 光の吸収と発光
    • 16−2 直接遷移型と間接遷移型
    • 16−3 シリコンの光吸収と発光
    • 16−4 受光デバイス
    • 16−5 光回路素子
  • 第17章 シリコン薄膜デバイス
    • 17−1 薄膜トランジスタ(TFT)
    • 17−2 薄膜太陽電池

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