サイト内検索

詳細検索

ヘルプ

セーフサーチについて

性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示を調整できる機能です。
ご利用当初は「セーフサーチ」が「ON」に設定されており、性的・暴力的に過激な表現が含まれる作品の表示が制限されています。
全ての作品を表示するためには「OFF」にしてご覧ください。
※セーフサーチを「OFF」にすると、アダルト認証ページで「はい」を選択した状態になります。
※セーフサーチを「OFF」から「ON」に戻すと、次ページの表示もしくはページ更新後に認証が入ります。

送料無料 日付更新(2017年7月)

修正:1,000円以上の注文で5%OFFクーポン(0915-21)

目次

はじめての半導体デバイス

はじめての半導体デバイス

  • 執行 直之(著)
  • 1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
    • 1.1 半導体の歴史
    • 1.2 半導体の概説
    • 1.3 MOSトランジスタの概説
  • 2章 半導体の基礎物理
    • 2.1 エネルギーバンド
    • 2.2 フェルミ統計と半導体
    • 2.3 電荷中性条件と質量作用の法則
    • 2.4 拡散とドリフト
    • 2.5 静電場の基本式
  • 3章 pn接合ダイオード
    • 3.1 pn接合ダイオード構造と整流作用
    • 3.2 エネルギーバンド図(接地)
    • 3.3 エネルギーバンド図(バイアスの印加)
    • 3.4 電流電圧特性
  • 4章 バイポーラトランジスタ
    • 4.1 バイポーラトランジスタのエネルギーバンド図
    • 4.2 電流増幅率とカットオフ周波数
  • 5章 MOSキャパシタ
    • 5.1 MOSキャパシタのC−V特性
    • 5.2 MOS構造のエネルギーバンド図
    • 5.3 C−V特性の周波数依存性
  • 6章 MOSトランジスタ
    • 6.1 MOSトランジスタの動作原理
    • 6.2 電流電圧特性
    • 6.3 NMOSとPMOS
    • 6.4 インバータ回路
  • 7章 超LSIデバイス
    • 7.1 デバイス微細化の指針:スケーリング則
    • 7.2 デバイス微細化の課題
    • 7.3 配線の微細化による信号遅延
    • 7.4 フラッシュメモリ

電子工学・半導体 ランキング

電子工学・半導体のランキングをご紹介します一覧を見る

前へ戻る

次に進む