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- カテゴリ:一般
- 発売日:2021/04/13
- 出版社: 内田老鶴圃
- サイズ:21cm/244p
- 利用対象:一般
- ISBN:978-4-7536-5050-7
- 国内送料無料
紙の本
半導体デバイスにおける界面制御技術 固体界面物性と計算機実験の基礎と応用
著者 大貫 仁 (共著),篠嶋 妥 (共著),永野 隆敏 (共著),稲見 隆 (共著)
半導体デバイスの今後の発展に重要となる界面創製技術の手引書。半導体デバイスの製造プロセス、半導体デバイスにおける材料界面の組織学、界面組織評価技術など、界面創製技術の基礎...
半導体デバイスにおける界面制御技術 固体界面物性と計算機実験の基礎と応用
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商品説明
半導体デバイスの今後の発展に重要となる界面創製技術の手引書。半導体デバイスの製造プロセス、半導体デバイスにおける材料界面の組織学、界面組織評価技術など、界面創製技術の基礎と応用を解説する。【「TRC MARC」の商品解説】
【「はじめに」より】
本書は半導体デバイスの今後の発展に重要となる界面創製技術の手引きとなる書である.このために1〜4章(基礎)と5〜8章(応用)に分け界面創製技術を解説する.1〜4 章ではまず,半導体デバイスの製造プロセスを概説して半導体デバイスが多くの界面から成り立っていることを述べる.次に固体物性の基礎および界面の構造と熱力学を中心にした結晶組織学について述べ,実用デバイスの界面構造を理解する目を養うための基礎知識を与える.さらに著者らが研究に用いたフェーズフィールド法,第一原理計算法を中心にした計算機実験の基礎について解説する.5〜8章ではまず,集積回路のCu配線,Al合金配線を例にとって,実験と計算機実験を繰り返して最適化した表面・界面構造による高性能化・高信頼化について述べる.次にパワーデバイスについても同様な界面創製技術について述べる.読者はこれらの例により界面創製を行うためには実験と計算機実験の緊密な連携が不可欠であることを理解できると思う.本書では大学生の自習用,大学の講義用,一般の技術者の参考書として1〜4 章(基礎)を中心に学習し必要に応じて5〜8章(応用)の実例を適宜取り入れてさらに学習するのがよいと思われる.【商品解説】
目次
- 【目 次】
- 第1章 半導体デバイスの製造プロセス
- 1.1 pn接合ダイオードの製造プロセス
- 1.2 MOS型パワーデバイスの製造プロセス
- 1.3 MOS型パワーデバイスの動作原理
- 第2章 半導体デバイスにおける材料界面の組織学
- 2.1 結晶学概説
- 結晶構造/逆格子/X線回折による結晶の評価
- 2.2 合金の平衡状態図
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