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目次

パワーデバイス

パワーデバイス

  • 山本 秀和(著)
  • 1.パワーデバイスの概要
    • 1.1 パワーデバイスの役割
    • 1.2 パワーデバイスの用途
    • 1.3 身近で活躍するパワーデバイス
  • 2.パワーデバイスによる電力変換
    • 2.1 パワーデバイスによる直流−交流の相互変換
    • 2.2 コンバータ/インバータシステム
    • 2.3 パワーデバイスの進化
  • 3.原子と結晶
    • 3.1 原子構造と元素の周期性
    • 3.2 半導体結晶とエネルギーバンド
    • 3.3 結晶欠陥
  • 4.半導体中のキャリヤ
    • 4.1 半導体中のキャリヤの生成
    • 4.2 半導体中のキャリヤ統計
    • 4.3 半導体中の電気伝導
  • 5.半導体デバイスの基礎
    • 5.1 pn接合
    • 5.2 金属−半導体接触
    • 5.3 MOS構造
  • 6.電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性
    • 6.1 パワーチップの構造
    • 6.2 電力用ダイオード
    • 6.3 パワーバイポーラトランジスタ
    • 6.4 サイリスタ
  • 7.電圧制御型スイッチングデバイスの構造と特性
    • 7.1 パワーMOSFET
    • 7.2 IGBT
    • 7.3 IGBTの多機能化
  • 8.パワーモジュールの構造と要求性能
    • 8.1 パワーチップのモジュール化
    • 8.2 パワーモジュールの構造
    • 8.3 パワーモジュールへの要求性能
  • 9.パワーデバイス用シリコンウェーハ
    • 9.1 CZシリコンウェーハ
    • 9.2 FZシリコンウェーハ
    • 9.3 エピタキシャル成長
    • 9.4 パワーデバイス用ウェーハの選定
  • 10.パワーチップ製造プロセス
    • 10.1 パワーチップとMOS−LSIの構造比較
    • 10.2 パワーチップ表面側プロセス
    • 10.3 パワーチップ裏面側プロセス
  • 11.パワーモジュール製造プロセス
    • 11.1 パワーモジュール製造プロセス
    • 11.2 パワーモジュール対応新技術
    • 11.3 パワーデバイスのテスト技術
  • 12.ワイドギャップ半導体パワーデバイス
    • 12.1 シリコンパワーデバイスと比較した優位性
    • 12.2 SiCパワーデバイス
    • 12.3 GaNパワーデバイス

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