１．パワーデバイスの概要
- １．１パワーデバイスの役割
- １．２パワーデバイスの用途
- １．３身近で活躍するパワーデバイス
２．パワーデバイスによる電力変換
- ２．１パワーデバイスによる直流−交流の相互変換
- ２．２コンバータ／インバータシステム
- ２．３パワーデバイスの進化
３．原子と結晶
- ３．１原子構造と元素の周期性
- ３．２半導体結晶とエネルギーバンド
- ３．３結晶欠陥
４．半導体中のキャリヤ
- ４．１半導体中のキャリヤの生成
- ４．２半導体中のキャリヤ統計
- ４．３半導体中の電気伝導
５．半導体デバイスの基礎
- ５．１ｐｎ接合
- ５．２金属−半導体接触
- ５．３ＭＯＳ構造
６．電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性
- ６．１パワーチップの構造
- ６．２電力用ダイオード
- ６．３パワーバイポーラトランジスタ
- ６．４サイリスタ
７．電圧制御型スイッチングデバイスの構造と特性
- ７．１パワーＭＯＳＦＥＴ
- ７．２ＩＧＢＴ
- ７．３ＩＧＢＴの多機能化
８．パワーモジュールの構造と要求性能
- ８．１パワーチップのモジュール化
- ８．２パワーモジュールの構造
- ８．３パワーモジュールへの要求性能
９．パワーデバイス用シリコンウェーハ
- ９．１ＣＺシリコンウェーハ
- ９．２ＦＺシリコンウェーハ
- ９．３エピタキシャル成長
- ９．４パワーデバイス用ウェーハの選定
１０．パワーチップ製造プロセス
- １０．１パワーチップとＭＯＳ−ＬＳＩの構造比較
- １０．２パワーチップ表面側プロセス
- １０．３パワーチップ裏面側プロセス
１１．パワーモジュール製造プロセス
- １１．１パワーモジュール製造プロセス
- １１．２パワーモジュール対応新技術
- １１．３パワーデバイスのテスト技術
１２．ワイドギャップ半導体パワーデバイス
- １２．１シリコンパワーデバイスと比較した優位性
- １２．２ＳｉＣパワーデバイス
- １２．３ＧａＮパワーデバイス